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公开(公告)号:CN115928050A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202211605063.0
申请日:2022-12-14
申请人: 天津大学
IPC分类号: C23C16/455
摘要: 本发明属于半导体薄膜沉积技术领域,公开了一种横流式薄膜沉积反应器,反应腔室设置有气体入口、气体出口和用于样品进出的快开门;反应腔室在气体入口和样品台之间设置有挡板式气体再分布器,反应腔室外部设置有第一加热器,快开门的大气一侧装载有第二加热装置;快开门还可以通过散热法兰与反应腔室连接,并且通过橡胶密封圈实现密封。本发明通过挡板式气体再分布器计对气体入口处气流的扰动,调节进入反应腔室的气体流动模式,确保气体流速的均匀分布,从而实现样品表面温度的均匀分布,获得了稳定且流速分布均匀的层流流场,消除了大容器反应腔室内的涡流死区,且避免了传统薄膜沉积反应器中的莲蓬头气体再分布器、多孔进气喷嘴等复杂结构。