一种阻醇质子导电复合膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103367773B

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201310254252.2

    申请日:2013-06-24

    发明人: 王宇新 刘征 安德

    IPC分类号: H01M8/1069 B32B27/00

    摘要: 本发明公开了一种阻醇质子导电复合膜及其制备方法,阻醇质子导电复合膜是聚合物质子导电膜平行复合有石墨烯层,石墨烯层附着于聚合物质子导电膜的一侧或夹于两层聚合物质子导电膜之间,其制备方法采用转拓铜基化学气相沉积石墨烯,或者旋转喷涂石墨烯水分散液/氧化石墨烯水溶液,将石墨烯层均匀的附着于聚合物质子导电膜一侧,还可以进一步采用热压工艺将石墨烯层夹于两层聚合物质子导电膜之间。本发明阻醇质子导电复合膜在不影响聚合物质子导电膜本体质子导电率的前提下,可以显著提高膜的阻醇性能;该阻醇质子导电复合膜可以通过多样化的方法得到,且制备过程简单,所得石墨烯层大部分面积为单层,对膜本体中质子传导造成的阻力较小。

    一种阻醇质子导电复合膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103367773A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201310254252.2

    申请日:2013-06-24

    发明人: 王宇新 刘征 安德

    IPC分类号: H01M8/02 B32B27/00

    摘要: 本发明公开了一种阻醇质子导电复合膜及其制备方法,阻醇质子导电复合膜是聚合物质子导电膜平行复合有石墨烯层,石墨烯层附着于聚合物质子导电膜的一侧或夹于两层聚合物质子导电膜之间,其制备方法采用转拓铜基化学气相沉积石墨烯,或者旋转喷涂石墨烯水分散液/氧化石墨烯水溶液,将石墨烯层均匀的附着于聚合物质子导电膜一侧,还可以进一步采用热压工艺将石墨烯层夹于两层聚合物质子导电膜之间。本发明阻醇质子导电复合膜在不影响聚合物质子导电膜本体质子导电率的前提下,可以显著提高膜的阻醇性能;该阻醇质子导电复合膜可以通过多样化的方法得到,且制备过程简单,所得石墨烯层大部分面积为单层,对膜本体中质子传导造成的阻力较小。

    一种改性磺化聚芳醚酮离子交换膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103811776B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201310732052.3

    申请日:2013-12-23

    申请人: 天津大学

    发明人: 王宇新 安德

    摘要: 本发明公开了一种改性磺化聚芳醚酮离子交换膜及其制备方法。制备过程使磺化聚芳醚酮膜中发生酮基还原为羟基和羟基与磺酸基交联为磺酸酯的反应,在膜两侧各形成一梯度结构的抗溶胀皮层。该制备方法包括:将磺化聚芳醚酮离子交换膜于0.025-2.5g/mL NaBH4溶液中浸泡;用去离子水洗涤,然后在去离子水中浸泡;将膜在0.01M-1.0M的酸或碱溶液中浸泡;将膜用去离子水洗涤、浸泡、干燥,得到表面改性的磺化聚芳醚酮离子交换膜。本发明的优点在于,改性方法简单,过程操作简便,所得膜在达到一定的尺寸稳定性、机械强度和阻止燃料透过率的情况下,能保持膜的高导电率,使膜综合性能大幅提升。

    一种改性磺化聚芳醚酮离子交换膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103811776A

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201310732052.3

    申请日:2013-12-23

    申请人: 天津大学

    发明人: 王宇新 安德

    摘要: 本发明公开了一种改性磺化聚芳醚酮离子交换膜及其制备方法。制备过程使磺化聚芳醚酮膜中发生酮基还原为羟基和羟基与磺酸基交联为磺酸酯的反应,在膜两侧各形成一梯度结构的抗溶胀皮层。该制备方法包括:将磺化聚芳醚酮离子交换膜于0.025-2.5g/mL?NaBH4溶液中浸泡;用去离子水洗涤,然后在去离子水中浸泡;将膜在0.01M-1.0M的酸或碱溶液中浸泡;将膜用去离子水洗涤、浸泡、干燥,得到表面改性的磺化聚芳醚酮离子交换膜。本发明的优点在于,改性方法简单,过程操作简便,所得膜在达到一定的尺寸稳定性、机械强度和阻止燃料透过率的情况下,能保持膜的高导电率,使膜综合性能大幅提升。