公开(公告)号：CN115151521B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202180016618.5

申请日：2021-02-24

Applicant: 大金工业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 莲本雄太 ,  高桑达哉 ,  山本治 ,  中谷英树 ,  能美政男 ,  佐藤数行 ,  山之井航平 ,  大岛明博

IPC: C07C17/269 ,  C07C21/18 ,  C07C17/361

Abstract: 本发明涉及一种在目标化合物的合成过程中不需要高温和催化剂，并且目标化合物的选择率高的氢氟烯烃(HFO)或氟烯烃(FO)的制造方法。本发明具体提供一种碳原子数为2、3或4的氢氟烯烃或氟烯烃的制造方法，其特征在于：向选自碳原子数为1或2的氢氟烃和碳原子数为2或3的氢氟烯烃A中的至少一种原料化合物照射电离辐射线和/或波长300nm以下的紫外线，其中，当上述原料化合物为上述氢氟烯烃A时，所得到的上述氢氟烯烃不同于上述氢氟烯烃A。

公开(公告)号：CN114556091A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080072327.3

申请日：2020-10-09

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 能美政男 ,  坂仓淳史

IPC: G01N21/88

Abstract: 本发明提供能够对氟树脂构件的接合部的内部状态等进行非破坏性检查的新检查方法。一种氟树脂构件的接合部的检查方法，其包括工序(A1)，基于利用光学相干断层摄影术对氟树脂构件(A1)与氟树脂构件(A2)的接合部进行拍摄而得到的图像数据对该接合部的内部状态进行检查。

公开(公告)号：CN118974539A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380031212.3

申请日：2023-03-30

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 能美政男 ,  坂仓淳史

IPC: G01N21/17

Abstract: 本发明提供能够一次性大范围地进行断层摄影并且能够对位于远处的对象进行断层摄影的光学干涉断层摄影装置等。光学干涉断层摄影装置具备将来自光源的光聚光于试样的物镜，并且基于试样光与参照光的干涉进行所述试样的断层摄影，所述试样光是来自所述试样的反射光，所述参照光是来自设于所述物镜与所述试样之间的参照面的反射光，其中，所述试样光和所述参照光双方通过所述物镜，通过了所述物镜的来自光源的光以广角照射于所述试样，所述参照面由光散射体构成。

公开(公告)号：CN116324380A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180063235.3

申请日：2021-09-21

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 能美政男 ,  坂仓淳史

IPC: G01N21/17

Abstract: 本发明提供一种光学相干断层摄影装置以及使用该光学相干断层摄影装置的光学相干断层摄影法。光学相干断层摄影装置即使在为便携式的情况下也难以产生断层图像的偏移，另外能够同时对宽范围进行断层摄影。光学相干断层摄影装置具备将来自光源的光聚光于试样的物镜，基于作为来自所述试样的反射光的试样光与作为来自设置于所述物镜与所述试样之间的参照面的反射光的参照光的干涉，进行所述试样的断层摄影，所述试样光以及参照光双方通过所述物镜，所述物镜是Fθ透镜。

公开(公告)号：CN115151521A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202180016618.5

申请日：2021-02-24

Applicant: 大金工业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 莲本雄太 ,  高桑达哉 ,  山本治 ,  中谷英树 ,  能美政男 ,  佐藤数行 ,  山之井航平 ,  大岛明博

IPC: C07C17/269 ,  C07C21/18 ,  C07C17/361

Abstract: 本发明涉及一种在目标化合物的合成过程中不需要高温和催化剂，并且目标化合物的选择率高的氢氟烯烃(HFO)或氟烯烃(FO)的制造方法。本发明具体提供一种碳原子数为2、3或4的氢氟烯烃或氟烯烃的制造方法，其特征在于：向选自碳原子数为1或2的氢氟烃和碳原子数为2或3的氢氟烯烃A中的至少一种原料化合物照射电离辐射线和/或波长300nm以下的紫外线，其中，当上述原料化合物为上述氢氟烯烃A时，所得到的上述氢氟烯烃不同于上述氢氟烯烃A。