公开(公告)号：CN107614257A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680029344.2

申请日：2016-04-27

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  小泽香织 ,  能势雅聪 ,  伊丹康雄 ,  森嶋雅人 ,  王蒙懿 ,  山田一希 ,  布濑晓志 ,  乙骨圆华

IPC: B32B9/00 ,  C03C17/42 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56

CPC classification number: B32B9/00 ,  C03C17/42 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明涉及一种具有基材、位于该基材上的硅氧化物层和形成于该硅氧化物层上的表面处理层而成的物品的制造方法，包括：利用化学气相沉积法，形成硅氧化物层的步骤；和在所得到的硅氧化物层上使用含有含氟硅烷化合物的表面处理剂，形成表面处理层的步骤。