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公开(公告)号:CN101405585B
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200780009853.X
申请日:2007-03-19
Applicant: 大金工业株式会社
CPC classification number: G01J5/34 , H01L37/025
Abstract: 本发明提供热电型红外线传感器,其为可以变形且灵敏度高的热电型红外线传感器。所述热电型红外线传感器设有由聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯等高分子材料构成的具有可挠性的基板(11)和由偏二氟乙烯(VDF)低聚物构成的层(13),在VDF低聚物层(13)的上下设置由Al的蒸镀膜等构成的具有可挠性的电极(12)和(14)。通过这些各构成要素的可挠性,本发明的热电型红外线传感器作为整体具有可挠性,可以变形为所期望的形状。此外,由于与以往的热电型红外线传感器中使用的Si等基板相比,由高分子材料构成的基板的热容量和热传导率低,因而可以提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号:CN101405585A
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200780009853.X
申请日:2007-03-19
Applicant: 大金工业株式会社
CPC classification number: G01J5/34 , H01L37/025
Abstract: 本发明提供热电型红外线传感器,其为可以变形且灵敏度高的热电型红外线传感器。所述热电型红外线传感器设有由聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯等高分子材料构成的具有可挠性的基板(11)和由偏二氟乙烯(VDF)低聚物构成的层(13),在VDF低聚物层(13)的上下设置由Al的蒸镀膜等构成的具有可挠性的电极(12)和(14)。通过这些各构成要素的可挠性,本发明的热电型红外线传感器作为整体具有可挠性,可以变形为所期望的形状。此外,由于与以往的热电型红外线传感器中使用的Si等基板相比,由高分子材料构成的基板的热容量和热传导率低,因而可以提高传感器的灵敏度。
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