公开(公告)号：CN101764296A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN201010300354.X

申请日：2010-01-15

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 廖敏夫 ,  段雄英 ,  蒲路 ,  邹积岩 ,  刘丽 ,  王江波

IPC: H01R4/66

Abstract: 本发明公开了一种缓释型离子接地装置，属于接地保护装置。该缓释型离子接地装置包括接地装置及离子填料。接地装置包括金属内管、金属外管、接地极盖。离子填料分为内填料与外填料，分别加入金属内外管中，内外管壁具有渗透孔，离子填料通过渗透孔向周围土壤渗透。内填料主要由易导电无机类离子材料组成，外填料主要由有机材料组成，具有缓释和保水的双重作用。本发明的有益效果是减小接地电阻延长接地离子填料的使用寿命，接地电阻低，耐受大电流冲击能力强，离子填料使用寿命长，散流效果好，更换方便。使用时，不受空间使用范围的限制，是一种可以广泛使用的降低接地系统电阻的接地装置，特别适合用在高山、城市等电阻率高或使用土地紧张的地区。

公开(公告)号：CN115133765A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210615654.X

申请日：2022-05-31

Applicant: 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 ,  国网陕西省电力有限公司电力科学研究院 ,  大连理工大学 ,  国网电力科学研究院有限公司

Inventor： 胡媛媛 ,  张杰 ,  成林 ,  卢江平 ,  李文波 ,  廖敏夫 ,  刘健 ,  蒲路 ,  刘波 ,  段雄英 ,  符一凡 ,  章敏俊

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明公开了一种模拟开关操作的调控电容放电电流的控制装置，它的调控单元用于采集电容组C两端的电压，当电容组C两端的电压低于参考电压时，调控单元控制场效应管MOSFET1导通，同时场效应管MOSFET2关断，此时，直流电源DC向电容组C充电；当电容组C两端的电压高于参考电压时，调控单元控制场效应管MOSFET1关断，同时场效应管MOSFET2导通，电容组C与放电电阻R2、场效应管MOSFET2构成放电回路，本发明通过对电容组电压的采集分析，与预设的数值相对比，可以有针对性的调节电容组电压，使电容组得到更精确的电压值，避免欠压或者过压，使得调控效果更明显。