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公开(公告)号：CN113851368A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111104982.5
申请日：2021-09-22
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种在射频磁化容性耦合放电装置中增强放电的方法，涉及半导体芯片刻蚀技术领域，包括：构建射频磁化容性耦合放电装置；调节所述射频磁化容性耦合放电装置的磁感应强度，使所述磁感应强度满足关系式B＝(π·me)/e·frf；式中，B表示所述射频磁化容性耦合放电装置的磁感应强度，π表示圆周率，me表示电子质量，e表示元电荷，frf表示射频频率。本发明能够极大增强功率耦合效率，大幅度提高等离子体密度。
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公开(公告)号：CN113936988B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111186541.4
申请日：2021-10-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种边缘等离子体分布调节装置，包括：射频源、卡盘、晶圆电极、接地电极、第三电极和调节电源；所述射频源加载在所述晶圆电极上；所述射频源用于在所述接地电极和所述晶圆电极之间产生射频交变电场以产生等离子体；所述接地电极接地；所述晶圆电极的边缘设置所述卡盘；所述第三电极设置在所述卡盘上；所述调节电源与所述第三电极连接；所述调节电源用于调制所述卡盘处的电位以改变所述晶圆电极边缘处的电势和电场分布。本发明通过调节等离子体的密度分布提高晶圆工艺的均匀性。
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公开(公告)号：CN113015307A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110225487.3
申请日：2021-03-01
Applicant: 大连理工大学
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明涉及一种测量等离子体阻抗和功率的方法及装置。该方法包括以下步骤：获取电压波形和电流波形；根据所述电压波形获取电压振幅和电压相位；根据所述电流波形获取电流振幅和电流相位；根据所述电压相位和所述电流相位进行相位差校准，得到V‑I相位差；根据所述电压波形、所述电流波形、所述电压振幅、所述电流振幅和所述V‑I相位差计算等离子体的阻抗和功率。本发明针对现有技术存在的问题，对脉冲射频电源进行脉冲调制，通过延长脉冲“关闭”时间，对V‑I相位差进行校准，进而得到射频功率和等离子体阻抗随时间的演化过程；当等离子体稳定后，即可得到稳态(连续波驱动)的等离子体对功率的吸收。
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公开(公告)号：CN114156157B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202111457907.7
申请日：2021-12-01
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体产生装置，涉及等离子体技术领域，包括第一栅极、第二栅极、磁场产生部件；第一栅极与第二栅极平行设置，且第一栅极与第二栅极之间间隔第一距离；第一距离为德拜长度量级的距离；第一栅极与电源组件连接；磁场产生部件用于产生平行于第一栅极的磁场；工作时，电源组件向第一栅极施加射频电压，使得第一栅极与第二栅极之间产生第一交变电场，在第一交变电场内的电子经过共振加速后进入到磁场，进而在磁场中回旋返回至第一交变电场继续进行共振加速，以产生等离子体；第一交变电场的周期与磁场的周期相同。本发明在低气压下放电效率高，且能够产生径向均匀性良好的等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112259434A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011215150.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种任意波形驱动放电控制系统，包括：反应器、计算机、信号发生器、功率放大器和匹配网络。反应器用于维持等离子体放电；计算机，与反应器连接，用于产生第一波形数据，还用于采集反应器的电压，并判断反应器的电压中的各谐波电压与目标任意波电压中的各谐波电压是否满足约束条件，如果反应器的电压中的各谐波电压与目标任意波电压中的各谐波电压满足约束条件，则停止对反应器的电压判断；如果不满足约束条件，则调整并输出调整后的第一波形数据；信号发生器、功率放大器和匹配网络分别对第一波形数据进行处理并施加在反应器上。本发明提高了控制精度和效率，扩大了系统的适用范围和工作频率。
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公开(公告)号：CN113851368B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202111104982.5
申请日：2021-09-22
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种在射频磁化容性耦合放电装置中增强放电的方法，涉及半导体芯片刻蚀技术领域，包括：构建射频磁化容性耦合放电装置；调节所述射频磁化容性耦合放电装置的磁感应强度，使所述磁感应强度满足关系式B＝(π·me)/e·frf；式中，B表示所述射频磁化容性耦合放电装置的磁感应强度，π表示圆周率，me表示电子质量，e表示元电荷，frf表示射频频率。本发明能够极大增强功率耦合效率，大幅度提高等离子体密度。
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公开(公告)号：CN114156157A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111457907.7
申请日：2021-12-01
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体产生装置，涉及等离子体技术领域，包括第一栅极、第二栅极、磁场产生部件；第一栅极与第二栅极平行设置，且第一栅极与第二栅极之间间隔第一距离；第一距离为德拜长度量级的距离；第一栅极与电源组件连接；磁场产生部件用于产生平行于第一栅极的磁场；工作时，电源组件向第一栅极施加射频电压，使得第一栅极与第二栅极之间产生第一交变电场，在第一交变电场内的电子经过共振加速后进入到磁场，进而在磁场中回旋返回至第一交变电场继续进行共振加速，以产生等离子体；第一交变电场的周期与磁场的周期相同。本发明在低气压下放电效率高，且能够产生径向均匀性良好的等离子体。
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公开(公告)号：CN113936988A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111186541.4
申请日：2021-10-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种边缘等离子体分布调节装置，包括：射频源、卡盘、晶圆电极、接地电极、第三电极和调节电源；所述射频源加载在所述晶圆电极上；所述射频源用于在所述接地电极和所述晶圆电极之间产生射频交变电场以产生等离子体；所述接地电极接地；所述晶圆电极的边缘设置所述卡盘；所述第三电极设置在所述卡盘上；所述调节电源与所述第三电极连接；所述调节电源用于调制所述卡盘处的电位以改变所述晶圆电极边缘处的电势和电场分布。本发明通过调节等离子体的密度分布提高晶圆工艺的均匀性。
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公开(公告)号：CN119136396A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411330112.3
申请日：2024-09-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H05H1/02
Abstract: 本申请公开一种射频容性耦合等离子体径向密度的调控装置及方法，涉及半导体工艺技术领域，该装置包括：容性耦合射频放电装置和线圈；所述线圈包括第一线圈、第二线圈和第三线圈；对于非高频容性耦合等离子体放电工况，在所述等离子体放电腔室上方设置所述第一线圈；对于高频容性耦合等离子体放电工况，在所述等离子体放电腔室上方设置所述第二线圈，且在所述等离子体放电腔室下方设置所述第三线圈；其中，所述第二线圈上的电流和所述第三线圈上的电流为相反的电流。有利于优化等离子体放电腔室内等离子体径向密度分布均匀性。
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