一种稳定的高电导Cu-Ge-Fe三元稀合金薄膜及其制备工艺

    公开(公告)号:CN105603363B

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201610005783.1

    申请日:2016-01-06

    Abstract: 本发明涉及一种稳定的高电导Cu‑Ge‑Fe三元稀合金薄膜及其制备工艺,属于新材料领域。这种稳定的高电导Cu‑Ge‑Fe三元稀合金薄膜中大原子半径非金属组元Ge的添加量是第三组元金属元素Fe的5~35倍,Ge和Fe添加总量为原子百分比0.32~1.74%。其优点是:1、添加元素的含量很少,能够保持铜膜本身的低电阻率;2、在Cu中加入固溶态的非金属Ge时,大的原子尺寸决定了Ge在Cu中难以扩散,有利于保持整体结构稳定;3、Ge与Fe为负混合焓,通过添加Ge元素将Fe代入Cu中,增大Fe在Cu中的固溶度,使合金薄膜呈固溶状态,而Fe的添加可以使Ge的添加量降低,较大程度的削减了大原子本身造成的电子散射效应,故两种元素的共添加有利于稳定Cu膜同时保证其电阻率受到最小的影响。

    一种稳定的高电导Cu-Ge-Fe三元稀合金薄膜及其制备工艺

    公开(公告)号:CN105603363A

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201610005783.1

    申请日:2016-01-06

    CPC classification number: C23C14/14 C22C9/00 C23C14/34

    Abstract: 本发明涉及一种稳定的高电导Cu-Ge-Fe三元稀合金薄膜及其制备工艺,属于新材料领域。这种稳定的高电导Cu-Ge-Fe三元稀合金薄膜中大原子半径非金属组元Ge的添加量是第三组元金属元素Fe的5~35倍,Ge和Fe添加总量为原子百分比0.32~1.74%。其优点是:1、添加元素的含量很少,能够保持铜膜本身的低电阻率;2、在Cu中加入固溶态的非金属Ge时,大的原子尺寸决定了Ge在Cu中难以扩散,有利于保持整体结构稳定;3、Ge与Fe为负混合焓,通过添加Ge元素将Fe代入Cu中,增大Fe在Cu中的固溶度,使合金薄膜呈固溶状态,而Fe的添加可以使Ge的添加量降低,较大程度的削减了大原子本身造成的电子散射效应,故两种元素的共添加有利于稳定Cu膜同时保证其电阻率受到最小的影响。

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