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公开(公告)号：CN119000648A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411244039.8
申请日：2024-09-05
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种磁约束聚变装置内壁表面元素激光诱导击穿光谱定量分析方法，属于激光光谱分析技术领域。该方法基于壁材料表面杂质层的激光诱导击穿光谱数据，根据特征光谱数据各元素谱线强度的关系，通过沉积杂质薄膜成分预分类模型预判待测杂质层的基质属性，根据基质属性选择与待测样品基质相似的光谱标样进行单标样修正光谱计算，修正特征谱线误差后进行定量分析，能够对磁约束装置壁材料腐蚀再沉积杂质、壁处理涂覆层、滞留燃料及其他杂质元素等含量进行空间大范围、高分辨率的定量化测量。本发明方法提供丰富的壁表面沉积杂质层成分结构的信息，可以为磁约束聚变装置运行燃料注入、壁处理维护、高参数等离子体控制等提供重要依据。
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