公开(公告)号：CN119710770A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411860437.2

申请日：2024-12-17

Applicant: 大连大学

Inventor： 钟和香 ,  胡凯 ,  王琮雅 ,  潘立卫 ,  张晶 ,  宋仁升

IPC: C25B11/052 ,  C25B11/061 ,  C25B11/091 ,  C25B1/23 ,  C25B3/26 ,  C25B3/07

Abstract: 本发明公开了一种二氧化碳电化学还原用硫修饰的电极及制备方法，涉及硫修饰电极领域，包括：在铜基底的基底层表面通过电化学脉冲沉积、电化学恒电位沉积重构技术，在铜基底上原位沉积生长核壳结构Cu2O‑Cu2S‑Cu(V)/CuxO‑CuxS/CM催化剂。在生长过程中，基底表面脉冲沉积制备得到CuxS‑CuxO；然后，利用电化学恒电位结构重构，将催化剂表面层的CuxO和CuxS重构且被还原，表面生长Cu2O‑Cu2S‑Cu(V)，形成硫修饰电极。本发明通过脉冲电沉积耦合恒电位沉积重构，制备得到硫改性修饰的电极，该制备方法简单，原料来源广泛，且所研制的电极具有很好的选择性、高催化活性和稳定性，通过结构重构，扩大固、液，气三相界面面积，可使电催化剂具有更多的活性位点和更大的比表面积。