半导体封装件、半导体封装件的制造方法以及中介层组

    公开(公告)号:CN116888735A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202280013254.X

    申请日:2022-01-31

    Abstract: 半导体封装件包含:第1中介层,其包含第1面和第2面;第2中介层,其包含第3面和第4面,在第1方向上与所述第1中介层并排;第3中介层,其包含第5面和第6面,在第1方向上位于第1中介层与第2中介层之间;第1半导体元件,其在俯视时与第1面和第5面重叠;以及第2半导体元件,其在俯视时与第3面和第5面重叠。第3中介层包含将第1半导体元件和第2半导体元件电连接的布线。

    检测元件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108140534B

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201680059153.0

    申请日:2016-09-30

    Abstract: 本发明提供一种能够得到高信号强度且高S/N比的高分辨率的放射线图像的检测元件。检测元件具有:设置了贯通孔的基板;配置在贯通孔的内部的绝缘层;配置于比绝缘层更靠贯通孔的内侧的贯通电极;设置使贯通电极露出的开口部,且一部分与贯通电极相接的绝缘性的树脂层;配置在贯通电极以及树脂层的上方,通过开口部与贯通电极连接的第一电极;和在树脂层的上方,与第一电极隔开配置的第二电极。

    检测元件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108140534A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201680059153.0

    申请日:2016-09-30

    Abstract: 本发明提供一种能够得到高信号强度且高S/N比的高分辨率的放射线图像的检测元件。检测元件具有:设置了贯通孔的基板;配置在贯通孔的内部的绝缘层;配置于比绝缘层更靠贯通孔的内侧的贯通电极;设置使贯通电极露出的开口部,且一部分与贯通电极相接的绝缘性的树脂层;配置在贯通电极以及树脂层的上方,通过开口部与贯通电极连接的第一电极;和在树脂层的上方,与第一电极隔开配置的第二电极。

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