公开(公告)号：CN105027260B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201480012525.5

申请日：2014-01-22

Applicant: 大日本印刷株式会社

Inventor： 大川洋平 ,  小泽英则

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3045 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/30455

Abstract: 本发明提供了一种能够准确校正带电粒子束的照射位置并提高描绘图案的位置精度的带电粒子束照射位置的校正程序、带电粒子束照射位置的校正量运算装置、带电粒子束照射系统以及带电粒子束照射位置的校正方法。电子束照射位置的校正程序的特征在于，使控制部(22)作为以下单元而发挥作用：电荷密度分布运算单元，将抗蚀剂的带电替换为抗蚀剂(R)与掩模基板(M)的界面的表面电荷，并对替换成的表面电荷的电荷密度分布进行运算；轨道运算装置，基于电荷密度分布对带电粒子的轨道进行运算；误差量运算装置，基于带电粒子的轨道对电子束的照射位置的误差量进行运算；以及照射位置校正量运算装置，基于误差量对电子束照射位置的校正量进行运算。

公开(公告)号：CN105027260A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480012525.5

申请日：2014-01-22

Applicant: 大日本印刷株式会社

Inventor： 大川洋平 ,  小泽英则

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3045 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/30455

Abstract: 本发明提供了一种能够准确校正带电粒子束的照射位置并提高描绘图案的位置精度的带电粒子束照射位置的校正程序、带电粒子束照射位置的校正量运算装置、带电粒子束照射系统以及带电粒子束照射位置的校正方法。电子束照射位置的校正程序的特征在于，使控制部(22)作为以下单元而发挥作用：电荷密度分布运算单元，将抗蚀剂的带电替换为抗蚀剂(R)与掩模基板(M)的界面的表面电荷，并对替换成的表面电荷的电荷密度分布进行运算；轨道运算装置，基于电荷密度分布对带电粒子的轨道进行运算；误差量运算装置，基于带电粒子的轨道对电子束的照射位置的误差量进行运算；以及照射位置校正量运算装置，基于误差量对电子束照射位置的校正量进行运算。