用于氢气制造用过滤器的薄膜支持基板及氢气制造用过滤器制造方法

    公开(公告)号:CN101337166B

    公开(公告)日:2011-07-06

    申请号:CN200810110280.6

    申请日:2003-07-23

    Abstract: 一种氢气制造用过滤器制造方法,过滤器使用的薄膜支持基板包括:金属基板;在金属基板一面上的多个柱状凸部;及在柱状凸部的非形成部位贯通金属基板地形成的多个贯通孔,柱状凸部的非形成部位的面积占柱状凸部形成面侧面积的20~90%的范围。该制造方法包括:在薄膜支持基板的形成柱状凸部的面上形成树脂层,将贯通孔的内部填补并覆盖柱状凸部的树脂层形成工序;把树脂层平坦地除去使柱状凸部的上端面露出并与上端面构成同一平面的平坦化工序;在柱状凸部的上端面及树脂层构成的平坦面上用无电解及真空成膜法中的任一种,形成导电性基底层的基底层形成工序;在导电性基底层上用电镀形成Pd合金膜的膜形成工序;及只溶解树脂层并除去的除去工序。

    用于氢气制造用过滤器的薄膜支持基板及氢气制造用过滤器制造方法

    公开(公告)号:CN101422704A

    公开(公告)日:2009-05-06

    申请号:CN200810131734.8

    申请日:2003-07-23

    Abstract: 一种氢气制造用过滤器的制造方法,是使用薄膜支持基板的氢气制造用过滤器的制造方法,其特征是,薄膜支持基板包括:金属基板;在该金属基板的一个面上形成的多个柱状凸部;及在该柱状凸部的非形成部位以贯通金属基板的方式形成的多个贯通孔,并且,柱状凸部的非形成部位的面积占柱状凸部形成面侧面积的20%~90%的范围,氢气制造用过滤器的制造方法包括:在薄膜支持基板的形成柱状凸部的面的相反一侧的面上,配设绝缘性薄膜的配设工序;在薄膜支持基板的形成柱状凸部的面上形成镀铜层,将贯通孔的内部填补并覆盖柱状凸部的镀铜工序;把镀铜层平坦地除去,使柱状凸部的上端面露出,并与该上端面构成相同的同一平面的平坦化工序;通过电镀在柱状凸部的上端与镀铜层构成的平坦面上形成Pd合金膜的膜形成工序;及在除去绝缘性薄膜后,通过选择性蚀刻除去镀铜层的除去工序。因此,可制造出用于燃料电池的改性器的、可稳定地进行高纯度氢气气体的生产的氢气制造用过滤器。

    用于氢气制造用过滤器的薄膜支持基板及氢气制造用过滤器制造方法

    公开(公告)号:CN101337167A

    公开(公告)日:2009-01-07

    申请号:CN200810110281.0

    申请日:2003-07-23

    Abstract: 一种氢气制造用过滤器的制造方法,过滤器使用的薄膜支持基板包括:金属基板;在该金属基板的一个面上形成的多个柱状凸部;及在柱状凸部的非形成部位贯通金属基板地形成的多个贯通孔,柱状凸部的非形成部位的面积占柱状凸部形成面侧面积的20%~90%的范围。该制造方法包括:在相对于薄膜支持基板可选择性地进行蚀刻的金属基体材料的一个面上,通过电镀形成Pd合金膜的膜形成工序;在薄膜支持基板的形成柱状凸部的面上,通过把Pd合金膜与柱状凸部的上端面扩散接合,配设金属基体材料的扩散接合工序;及通过选择性蚀刻除去金属基体材料的除去工序。因此,可制造出用于燃料电池的改性器的、可稳定地进行高纯度氢气气体的生产的氢气制造用过滤器。

    氢气制造用过滤器制造方法

    公开(公告)号:CN101337167B

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN200810110281.0

    申请日:2003-07-23

    Abstract: 一种氢气制造用过滤器的制造方法,过滤器使用的薄膜支持基板包括:金属基板;在该金属基板的一个面上形成的多个柱状凸部;及在柱状凸部的非形成部位贯通金属基板地形成的多个贯通孔,柱状凸部的非形成部位的面积占柱状凸部形成面侧面积的20%~90%的范围。该制造方法包括:在相对于薄膜支持基板可选择性地进行蚀刻的金属基体材料的一个面上,通过电镀形成Pd合金膜的膜形成工序;在薄膜支持基板的形成柱状凸部的面上,通过把Pd合金膜与柱状凸部的上端面扩散接合,配设金属基体材料的扩散接合工序;及通过选择性蚀刻除去金属基体材料的除去工序。因此,可制造出用于燃料电池的改性器的、可稳定地进行高纯度氢气气体的生产的氢气制造用过滤器。

    用于氢气制造用过滤器的薄膜支持基板及氢气制造用过滤器制造方法

    公开(公告)号:CN101337166A

    公开(公告)日:2009-01-07

    申请号:CN200810110280.6

    申请日:2003-07-23

    Abstract: 一种氢气制造用过滤器的制造方法,过滤器使用的薄膜支持基板包括:金属基板;在金属基板一面上的多个柱状凸部;及在柱状凸部的非形成部位贯通金属基板地形成的多个贯通孔,柱状凸部的非形成部位的面积占柱状凸部形成面侧面积的20~90%的范围。该制造方法包括:在薄膜支持基板的形成柱状凸部的面上形成树脂层,将贯通孔的内部填补并覆盖柱状凸部的树脂层形成工序;把树脂层平坦地除去使柱状凸部的上端面露出并与上端面构成同一平面的平坦化工序;在柱状凸部的上端面及树脂层构成的平坦面上用无电解及真空成膜法中的任一种,形成导电性基底层的基底层形成工序;在导电性基底层上用电镀形成Pd合金膜的膜形成工序;及只溶解树脂层并除去的除去工序。

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