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公开(公告)号：CN101682111B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200880018667.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01Q1/38 , G02F1/1368 , G06K19/00 , H01L29/786 , H01P11/00 , H01Q1/24 , H01Q7/00 , H04M1/02
Abstract: 本发明涉及天线装置、显示装置基板、液晶显示单元、显示系统、天线装置的制造方法、和显示装置基板的制造方法。本发明的天线装置是通过薄膜工艺将天线(81)和连接天线(81)与接收部(82)的电配线在有源矩阵基板上形成为单片化而成的装置。而且，构成天线(81)的材料的电导率比构成上述电配线的材料的电导率高。
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公开(公告)号：CN101682111A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880018667.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01Q1/38 , G02F1/1368 , G06K19/00 , H01L29/786 , H01P11/00 , H01Q1/24 , H01Q7/00 , H04M1/02
Abstract: 本发明涉及天线装置、显示装置基板、液晶显示单元、显示系统、天线装置的制造方法、和显示装置基板的制造方法。本发明的天线装置是通过薄膜工艺将天线(81)和连接天线(81)与接收部(82)的电配线在有源矩阵基板上形成为单片化而成的装置。而且，构成天线(81)的材料的电导率比构成上述电配线的材料的电导率高。
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公开(公告)号：CN101055765B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710097136.9
申请日：2007-04-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： S·沙阿 , O·K·阿贝-梅瑞姆 , P·泽伯迪
CPC classification number: G11C17/16 , G11C2216/26
Abstract: 一种可编程只读存储器包括存储单元或安排为阵列的多个这种单元。每一个存储单元包括诸如MOS TFT之类的晶体管。电子开关允许诸如栅极之类的控制电极在编程模式器件被充分电隔离，使得栅极在该模式期间电浮置。在编程模式期间，将编程电压施加到晶体管的主传导路径的两端，如在源-漏沟道的两端。编程电压足够大以在晶体管的控制电极浮置时熔断主传导路径，但不足以在控制电极未浮置并连接到适当的限定电压时熔断主传导路径。因此晶体管在执行存储单元选择功能的同时用作可熔元件，且该装置需要较少的能够在熔断所需的编程电流下工作的晶体管。因此该存储器可占据减小的面积。
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公开(公告)号：CN101055765A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710097136.9
申请日：2007-04-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： S·沙阿 , O·K·阿贝-梅瑞姆 , P·泽伯迪
CPC classification number: G11C17/16 , G11C2216/26
Abstract: 一种可编程只读存储器包括存储单元或安排为阵列的多个这种单元。每一个存储单元包括诸如MOS TFT之类的晶体管。电子开关允许诸如栅极之类的控制电极在编程模式器件被充分电隔离，使得栅极在该模式期间电浮置。在编程模式期间，将编程电压施加到晶体管的主传导路径的两端，如在源－漏沟道的两端。编程电压足够大以在晶体管的控制电极浮置时熔断主传导路径，但不足以在控制电极未浮置并连接到适当的限定电压时熔断主传导路径。因此晶体管在执行存储单元选择功能的同时用作可熔元件，且该装置需要较少的能够在熔断所需的编程电流下工作的晶体管。因此该存储器可占据减小的面积。
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