公开(公告)号：CN106575062A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580036053.1

申请日：2015-06-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本英伸 ,  樽井哲弥 ,  濑口佳宏 ,  杉本刚久

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板具备数据线(24)，数据线(24)包含非晶Si膜(122)、n+非晶Si膜(123)、主导体部(133)以及IZO膜(141)。在光致抗蚀剂(142)的覆盖区域内的靠近端的部分对主导体部(133)和IZO膜(141)进行蚀刻，而使n+非晶Si膜(123)形成得比主导体部(133)和IZO膜(141)大。使源极层用的光掩模的图案比像素电极层用的光掩模的图案大，而使非晶Si膜(122)形成得比n+非晶Si膜(123)大。由钼系材料形成主导体部(133)，在数据线(24)的上层形成在一方产生压缩应力而在另一方产生拉伸应力的2层保护绝缘膜。由此，提供具有共用电极的高合格率的有源矩阵基板。

公开(公告)号：CN106575062B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201580036053.1

申请日：2015-06-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本英伸 ,  樽井哲弥 ,  濑口佳宏 ,  杉本刚久

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板具备数据线(24)，数据线(24)包含非晶Si膜(122)、n+非晶Si膜(123)、主导体部(133)以及IZO膜(141)。在光致抗蚀剂(142)的覆盖区域内的靠近端的部分对主导体部(133)和IZO膜(141)进行蚀刻，而使n+非晶Si膜(123)形成得比主导体部(133)和IZO膜(141)大。使源极层用的光掩模的图案比像素电极层用的光掩模的图案大，而使非晶Si膜(122)形成得比n+非晶Si膜(123)大。由钼系材料形成主导体部(133)，在数据线(24)的上层形成在一方产生压缩应力而在另一方产生拉伸应力的2层保护绝缘膜。由此，提供具有共用电极的高合格率的有源矩阵基板。

公开(公告)号：CN106662785A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580042551.7

申请日：2015-06-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 古川智朗 ,  森永润一 ,  富永真克 ,  木本英伸 ,  濑口佳宏

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/50 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

Abstract: FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板具备：多个栅极线；多个数据线；多个像素电路，其包含开关元件和像素电极；保护绝缘膜，其与这些要素相比形成于上层；以及共用电极(30)，其形成在保护绝缘膜的上层。共用电极(30)为了产生施加给液晶层的横电场而与像素电极对应地具有多个狭缝(31)。在共用电极(30)上，在包含数据线的一部分配置区域的区域，形成具有在与数据线相同的方向上延伸的部分的数据线上的切口(32)。在相对基板上，在与包含栅极线、数据线、开关元件以及数据线上的切口(32)的配置区域的区域相对的位置形成黑矩阵。由此，抑制由数据线的负荷引起的显示不良。