公开(公告)号：CN104756233A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380055163.3

申请日：2013-08-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山村官司 ,  清水宏信 ,  有田辉夫 ,  内山淳 ,  川上知巳 ,  泽井敬一

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/66393 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/7436

Abstract: 本发明实现一种半导体器件的制造方法，其能够避免在一个半导体器件的制造过程作为在固相扩散中使用的扩散源的高浓度杂质层污染使用同一设备制造的其它半导体器件，并且能够抑制半导体器件的特性因密封树脂中的可动离子而变动。半导体器件的制造方法包含利用固相扩散形成构成半导体器件(晶闸管)(100)的扩散区域(阴极区域)(103)的固相扩散工序，该固相扩散工序包含：在半导体衬底(N型硅衬底)(101)上形成成为杂质的扩散源的高浓度杂质层，使得该高浓度杂质层与该半导体衬底的规定的区域有选择地接触的工序；利用热处理使杂质从该扩散源层扩散至该半导体衬底而形成该扩散区域的工序；和在进行了该热处理后除去该扩散源层的工序。