公开(公告)号：CN102947948A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180030664.7

申请日：2011-06-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高木明英 ,  中村昌次 ,  西野光俊 ,  大竹保年

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022441 ,  B28D5/045 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种硅晶片(1)，该硅晶片(1)通过刻蚀切割硅晶锭(50)而得到的晶体硅(11)的表面而得到，且对于所述晶体硅(11)的单侧的表面仅刻蚀5μm以上且25μm以下，该硅晶片(1)的表面具有10μm以上且150μm以下宽度的小面(62)。在该硅晶片的表面具备电极(12，13)的半导体装置。此外，包括对晶体硅(11)的表面用氢氧化钠浓度为20质量%以上且35质量%以下的氢氧化钠水溶液对晶体硅(11)的单侧的表面仅刻蚀5μm以上且25μm以下的步骤的硅晶片(1)的制造方法以及半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN102947948B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201180030664.7

申请日：2011-06-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高木明英 ,  中村昌次 ,  西野光俊 ,  大竹保年

IPC: B28D5/04 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  B28D5/045 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种硅晶片(1)，该硅晶片(1)通过刻蚀切割硅晶锭(50)而得到的晶体硅(11)的表面而得到，且对于所述晶体硅(11)的单侧的表面仅刻蚀5μm以上且25μm以下，该硅晶片(1)的表面具有10μm以上且150μm以下宽度的小面(62)。在该硅晶片的表面具备电极(12，13)的半导体装置。此外，包括对晶体硅(11)的表面用氢氧化钠浓度为20质量%以上且35质量%以下的氢氧化钠水溶液对晶体硅(11)的单侧的表面仅刻蚀5μm以上且25μm以下的步骤的硅晶片(1)的制造方法以及半导体装置的制造方法。