公开(公告)号：CN101437337A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810174062.9

申请日：2008-11-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中岛聪司

IPC: H05B37/00 ,  G05F1/00

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法、功率控制装置、电子设备以及模块。半导体装置包括：固态继电器，具有第1发光元件(10)、接受来自第1发光元件的光的光触发元件(16)、以及密封了第1发光元件和光触发元件的透光性树脂(23)；双向输入型光电耦合器(31)，具有反方向并列连接的第2、第3发光元件(12、14)、接受来自上述第2、第3发光元件的光的光电晶体管(19)、密封第2、第3发光元件和光电晶体管的透光性树脂(23)；以及遮光壁(25)，在固态继电器和双向输入型光电耦合器之间进行遮光、在由遮光壁在固态继电器和双向输入型光电耦合器之间进行遮光的状态下进行1封装化。根据本发明的半导体装置能够实现小型化，同时能够降低制作成本。

公开(公告)号：CN1591912A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410076923.1

申请日：2004-09-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中岛聪司 ,  冈田正刚

IPC: H01L31/10 ,  H01L29/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L31/1113

Abstract: 为了提供一种具有高的击穿电压和很少变化光灵敏度的光控晶闸管，采用改善器件的灵敏度和击穿电压同时又保持器件小尺寸的方法，该器件包括一个硅基片(1)；一个晶体管部分，它包括一个阳极区域(3，3’)，一个栅极区域(4’，4)和一个阴极区域(6’，6)并且设置在硅基片的第一主表面上；一个光接受部分，用于接受来自外边的光；和一个电极(7，7’)，用于建立在阳极区域和阴极区域之间的欧姆接触。光接受部分包括一层通过透明绝缘薄膜(10)重叠在所述硅基片上的掺氧多晶硅薄膜(11)并且设置成环绕着所述晶体管部分。电极(7，7’)设置在所述晶体管部分上并且具有双结构，该双结构包括一个中心部分(7a，7a’)和一个环绕着中心部分的外围部分(7b，7b’)并且中心部分和外围部分进行电连接。

公开(公告)号：CN100362669C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200410076923.1

申请日：2004-09-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中岛聪司 ,  冈田正刚

IPC: H01L31/10 ,  H01L29/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L31/1113

Abstract: 为了提供一种具有高的击穿电压和很少变化光灵敏度的光控晶闸管，采用改善器件的灵敏度和击穿电压同时又保持器件小尺寸的方法，该器件包括一个硅基片(1)；一个晶体管部分，它包括一个阳极区域(3，3’)，一个栅极区域(4’，4)和一个阴极区域(6’，6)并且设置在硅基片的第一主表面上；一个光接受部分，用于接受来自外边的光；和一个电极(7，7’)，用于建立在阳极区域和阴极区域之间的欧姆接触。光接受部分包括一层通过透明绝缘薄膜(10)重叠在所述硅基片上的掺氧多晶硅薄膜(11)并且设置成环绕着所述晶体管部分。电极(7，7’)设置在所述晶体管部分上并且具有双结构，该双结构包括一个中心部分(7a，7a’)和一个环绕着中心部分的外围部分(7b，7b’)并且中心部分和外围部分进行电连接。