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公开(公告)号：CN106026921B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610318871.7
申请日：2016-05-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于太赫兹CMOS生物成像技术领域，具体为应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹源。本发明采用一种新型的四倍频注入锁定结构实现宽锁定范围和高转换增益倍频。该电路包括8个交叉耦合振荡器和4个倍频器；双推注入对管的正交输入采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节双推注入对管的偏置可以获得最大的转换增益和锁定范围。驱动电容负载时，该注入锁定倍频器可以实现300GHz到400GHz接近60%的锁定范围，转换增益最高可达7dB，整体功耗不超过18 mW，彻底克服工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化，中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响。
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公开(公告)号：CN106026920B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610309966.2
申请日：2016-05-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹检测器。本发明采用了一种超可再生的接收机电路，该电路结构包括一个低噪声放大器，一组振荡器和一组包络检波电路。太赫兹波注入低噪声放大器采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节注入对管的偏置可以获得最大的转换增益。包络检波输出一个正相关于输入信号强度的电压信号，该注入实现300GHz到400GHz接近‑80dBm的灵敏度，转换增益最高可达57dB，整体功耗不超过8 mW。本发明彻底克服了工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化以及中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响，使得能够应用于高性能太赫兹检测器中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106026921A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610318871.7
申请日：2016-05-14
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H03B5/1206 , A61B5/00 , H03B19/14
Abstract: 本发明属于太赫兹CMOS生物成像技术领域，具体为应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹源。本发明采用一种新型的四倍频注入锁定结构实现宽锁定范围和高转换增益倍频。该电路包括8个交叉耦合振荡器和4个倍频器；双推注入对管的正交输入采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节双推注入对管的偏置可以获得最大的转换增益和锁定范围。驱动电容负载时，该注入锁定倍频器可以实现300GHz到400GHz接近60%的锁定范围，转换增益最高可达7dB，整体功耗不超过18 mW，彻底克服工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化，中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响。
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公开(公告)号：CN106026924A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610309967.7
申请日：2016-05-11
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H03B19/14 , A61B5/00 , H03B5/1206
Abstract: 本发明属于太赫兹波CMOS集成电路设计领域，具体为一种应用于生物成像的太赫兹波CMOS注入锁定倍频器。该电路由两对双推注入对管和一个交叉耦合振荡器共用尾电流源组成。双推注入对管的正交输入采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节双推注入对管的偏置可以获得最大的转换增益和锁定范围。倍频器工作中心频率在100GHz左右。驱动容性负载时，该注入锁定倍频器能以较低功耗实现宽的频率锁定范围和较高转换增益，彻底克服工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化，中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响。
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公开(公告)号：CN109802652B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201910022443.3
申请日：2019-01-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H03H11/20
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种5G相控阵的有源移相器。包括：π型网络结构，由可变电容和变压器的主级线圈组成；第一晶体管，栅极接输入信号，漏级连接所述π型网络结构，实现对输入信号的放大；第二晶体管，栅极、源级分别与第一晶体管的栅极、源级相接，用于镜像第一晶体管的交流信号电流；开关阵列，连接于所述第二晶体管和变压器的次级线圈，通过开关阵列切换次级线圈的交流电流方向从而改变主级线圈的电感大小；第三晶体管，栅极接偏置，源级接所述π型网络结构，漏级接输出，实现对所述π型网络结构插入损耗的补偿。本发明解决传统π型网络结构移相器，具有电路体积小、相位调节范围大、插入损耗小的特点。
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公开(公告)号：CN109802652A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910022443.3
申请日：2019-01-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H03H11/20
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种5G相控阵的有源移相器。包括：π型网络结构，由可变电容和变压器的主级线圈组成；第一晶体管，栅极接输入信号，漏级连接所述π型网络结构，实现对输入信号的放大；第二晶体管，栅极、源级分别与第一晶体管的栅极、源级相接，用于镜像第一晶体管的交流信号电流；开关阵列，连接于所述第二晶体管和变压器的次级线圈，通过开关阵列切换次级线圈的交流电流方向从而改变主级线圈的电感大小；第三晶体管，栅极接偏置，源级接所述π型网络结构，漏级接输出，实现对所述π型网络结构插入损耗的补偿。本发明解决传统π型网络结构移相器，具有电路体积小、相位调节范围大、插入损耗小的特点。
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公开(公告)号：CN106026920A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610309966.2
申请日：2016-05-11
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H03B5/1206 , A61B5/00
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹检测器。本发明采用了一种超可再生的接收机电路，该电路结构包括一个低噪声放大器，一组振荡器和一组包络检波电路。太赫兹波注入低噪声放大器采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节注入对管的偏置可以获得最大的转换增益。包络检波输出一个正相关于输入信号强度的电压信号，该注入实现300GHz到400GHz接近‑80dBm的灵敏度，转换增益最高可达57dB，整体功耗不超过8 mW。本发明彻底克服了工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化以及中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响，使得能够应用于高性能太赫兹检测器中。
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