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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115127072B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202210928162.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 复旦大学
IPC: F21S11/00 , F21V5/00 , F21V5/04 , F21V8/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开一种免于太阳跟踪的日光照明采光系统，所述采光系统包括依次设置的：至少一个光偏转板，将太阳光重新定向；菲涅尔透镜，设置于所述光偏转板的下方，将重新定向的太阳光进行汇聚；光均匀器，其进口端设置于所述菲涅尔透镜的焦点处，将汇聚的重新定向的太阳光引入光均匀器的内部并进行多轮反射，使其均匀出射；导光介质，与所述光均匀器的出口端连接，用于传输光均匀器输出的太阳光，并将太阳光引入室内照明。本发明还公开一种免于太阳跟踪的日光照明采光方法。本发明能够全天候采集太阳光，实现室内日光照明，避免了太阳追踪系统精度问题和复杂天气条件下的太阳追踪问题。
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公开(公告)号：CN115127072A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210928162.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 复旦大学
IPC: F21S11/00 , F21V5/00 , F21V5/04 , F21V8/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开一种免于太阳跟踪的日光照明采光系统，所述采光系统包括依次设置的：至少一个光偏转板，将太阳光重新定向；菲涅尔透镜，设置于所述光偏转板的下方，将重新定向的太阳光进行汇聚；光均匀器，其进口端设置于所述菲涅尔透镜的焦点处，将汇聚的重新定向的太阳光引入光均匀器的内部并进行多轮反射，使其均匀出射；导光介质，与所述光均匀器的出口端连接，用于传输光均匀器输出的太阳光，并将太阳光引入室内照明。本发明还公开一种免于太阳跟踪的日光照明采光方法。本发明能够全天候采集太阳光，实现室内日光照明，避免了太阳追踪系统精度问题和复杂天气条件下的太阳追踪问题。
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公开(公告)号：CN111847867A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010702515.1
申请日：2020-07-21
Applicant: 复旦大学
IPC: C03B37/018 , C03B37/027 , G02B6/02
Abstract: 本发明属于光纤通信技术领域，提供了一种光纤预制棒及其制备方法，将氢气、氧气、四氯化硅和四氯化锗通入喷灯燃烧产生第一沉积物形成第一沉积层，再用四氟化硅替换四氯化锗，燃烧产生第二沉积物形成第二沉积层，得到的中空粉末芯棒烧结后拉伸得到延伸中空芯棒，加热使碱金属卤化物沉积在延伸中空芯棒内表面，并扩散到延伸中空芯棒内部，得到碱金属卤化物掺杂的中空芯棒，采用OVD工艺在碱金属卤化物掺杂的中空芯棒上沉积二氧化硅，烧结得到光纤预制棒。本发明的光纤预制棒制备方法生产简便，易于工业化，光纤预制棒所拉制的光纤，在小弯曲半径下损耗小，有效降低连接损耗，保证通信系统稳定运行，有效提高光纤通信中的OSNR，进一步提高传输质量。
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公开(公告)号：CN111847867B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010702515.1
申请日：2020-07-21
Applicant: 复旦大学
IPC: C03B37/018 , C03B37/027 , G02B6/02
Abstract: 本发明属于光纤通信技术领域，提供了一种光纤预制棒及其制备方法，将氢气、氧气、四氯化硅和四氯化锗通入喷灯燃烧产生第一沉积物形成第一沉积层，再用四氟化硅替换四氯化锗，燃烧产生第二沉积物形成第二沉积层，得到的中空粉末芯棒烧结后拉伸得到延伸中空芯棒，加热使碱金属卤化物沉积在延伸中空芯棒内表面，并扩散到延伸中空芯棒内部，得到碱金属卤化物掺杂的中空芯棒，采用OVD工艺在碱金属卤化物掺杂的中空芯棒上沉积二氧化硅，烧结得到光纤预制棒。本发明的光纤预制棒制备方法生产简便，易于工业化，光纤预制棒所拉制的光纤，在小弯曲半径下损耗小，有效降低连接损耗，保证通信系统稳定运行，有效提高光纤通信中的OSNR，进一步提高传输质量。
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公开(公告)号：CN111847866A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010673049.9
申请日：2020-07-14
Applicant: 复旦大学
IPC: C03B37/018 , C03B37/027
Abstract: 本发明涉及一种低损耗光纤预制棒外包层及制备设备和制备方法及光纤，制备过程中，在VAD、OVD、MCVD、PCVD四种工艺中选取一种制备芯棒，在所述芯棒表面以等离子体为热源，高温氧化四氯化硅，生成高致密的二氧化硅外包层，并沉积于芯棒表面，最终达到设定的目标棒径，所述外包层具有较好的光学均匀性、较高的硬度、较低的应力双折射，采用该外包层方法制备的G.652D光纤预制棒拉丝后1310nm衰减可达0.315dB/km，1550nm衰减可达0.175dB/km。与现有技术相比，本发明使用高温等离子体预处理芯棒表面，解决了界面缺陷问题，以四氯化硅为原料，以高温等离子体为热源，生成高致密、高均匀性、低缺陷的光纤预制棒外包层，满足低损耗光纤预制棒制备要求。
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