公开(公告)号：CN105023615B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201510418611.2

申请日：2015-07-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 解玉凤 ,  金越 ,  林殷茵

IPC: G11C16/26

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种可抗旁路攻击的非挥发存储器的读电路结构。该结构包括存储单元，第一参考单元，第二参考单元，电压差放大电路，灵敏放大器，电流源，列选择晶体管，两个参考单元列选择晶体管，两个读使能控制的晶体管，两个传输门；其中存储单元处于导通态或者非导通态，分别表示存储1或者0数据，参考单元跟存储单元有相同结构，分别预先编程为非导通态和导通态；该结构中，读取过程中能同时开启一路互补的参考单元列，以平衡其读功耗曲线，因而可以防止功耗分析的旁路攻击。本发明另一种电路结构是在上述结构基础上，采用处于中间状态的参考单元来进行读操作，将参考单元作为冗余单元用于平衡读功耗，可以进一步平衡读0和读1的功耗曲线，有利于抗功耗分析类的旁路攻击。

公开(公告)号：CN105023615A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510418611.2

申请日：2015-07-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 解玉凤 ,  金越 ,  林殷茵

IPC: G11C16/26

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种可抗旁路攻击的非挥发存储器的读电路结构。该结构包括存储单元，第一参考单元，第二参考单元，电压差放大电路，灵敏放大器，电流源，列选择晶体管，两个参考单元列选择晶体管，两个读使能控制的晶体管，两个传输门；其中存储单元处于导通态或者非导通态，分别表示存储1或者0数据，参考单元跟存储单元有相同结构，分别预先编程为非导通态和导通态；该结构中，读取过程中能同时开启一路互补的参考单元列，以平衡其读功耗曲线，因而可以防止功耗分析的旁路攻击。本发明另一种电路结构是在上述结构基础上，采用处于中间状态的参考单元来进行读操作，将参考单元作为冗余单元用于平衡读功耗，可以进一步平衡读0和读1的功耗曲线，有利于抗功耗分析类的旁路攻击。

公开(公告)号：CN109055390A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810761608.4

申请日：2018-07-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 葛晓春 ,  马红 ,  金越 ,  程轩 ,  潘维扬

IPC: C12N15/29 ,  C12N15/82 ,  A01H5/00 ,  A01H6/46 ,  C12Q1/6895

CPC classification number: C07K14/415 ,  C12N15/8261 ,  C12N15/8273 ,  C12Q1/6895 ,  C12Q2600/158

Abstract: 本发明属于分子生物学、基因工程技术领域，具体为水稻中一种受干旱诱导表达的转录因子OsERF101的功能。过表达该基因能够增强水稻抗旱性，提高干旱条件下水稻花粉粒的育性，从而提高结实率，稳定干旱天气下水稻的产量。本发明还包含根据此基因功能转化而得到的抗性增强的转基因植物。根据本发明提供的实验条件和测试结果，OsERF101基因在植物抗旱基因工程育种上具有应用价值，能够明显减少农作物在缺水条件下的产量损失。