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公开(公告)号：CN110127620B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201910391024.7
申请日：2019-05-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料技术领域，具体为金属氧化物有序交叉纳米线阵列材料及其制备方法。本发明以两亲性嵌段共聚物作为模板剂，四氢呋喃等作为溶剂，多金属氧酸盐作为无机前驱体合成金属氧化物有序交叉纳米线；其中，嵌段共聚物起到结构导向剂的作用，其亲水端与多金属氧酸盐阴离子通过静电作用力结合，在溶剂中形成核壳柱状胶束，在溶剂挥发过程中自组装形成层层交叉堆叠的有机‑无机复合有序纳米结构；在空气中焙烧除掉高分子模板剂，得到组成元素多样的金属氧化物有序交叉纳米线。所合成的金属氧化物半导体纳米线材料具有高比表面积和高结晶度，同时实现了杂原子的均匀掺杂。本发明方法简单，原料易得，适于放大生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114280111A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111602551.1
申请日：2021-12-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种铈掺杂氧化钨复合材料和硫化氢传感器、以及制备方法，属于纳米材料与传感器领域。所述铈掺杂氧化钨复合材料制备过程如下：取干燥的两亲性嵌段共聚物聚氧乙烯‑b‑聚苯乙烯溶解于四氢呋喃溶剂中得到透明澄清溶液A；将无水氯化铈溶解于无水乙醇中得到溶液B；将WCl6分散于乙酰丙酮中得到溶液C，用移液枪移取溶液B加入至溶液C中，继续搅拌得到墨绿色混合溶液D；再将溶液A加入迅速加入溶液D中，搅拌后干燥、烘干、固化得到透明的有机‑无机复合膜；再依次在氮气气氛、空气中煅烧后得到铈离子掺杂的介孔晶态氧化钨复合材料，并采用铈掺杂氧化钨复合材料制备硫化氢传感器。本发明提高了传感器对硫化氢气体的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN114280111B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111602551.1
申请日：2021-12-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种铈掺杂氧化钨复合材料和硫化氢传感器、以及制备方法，属于纳米材料与传感器领域。所述铈掺杂氧化钨复合材料制备过程如下：取干燥的两亲性嵌段共聚物聚氧乙烯‑b‑聚苯乙烯溶解于四氢呋喃溶剂中得到透明澄清溶液A；将无水氯化铈溶解于无水乙醇中得到溶液B；将WCl6分散于乙酰丙酮中得到溶液C，用移液枪移取溶液B加入至溶液C中，继续搅拌得到墨绿色混合溶液D；再将溶液A加入迅速加入溶液D中，搅拌后干燥、烘干、固化得到透明的有机‑无机复合膜；再依次在氮气气氛、空气中煅烧后得到铈离子掺杂的介孔晶态氧化钨复合材料，并采用铈掺杂氧化钨复合材料制备硫化氢传感器。本发明提高了传感器对硫化氢气体的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN110127661A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910391031.7
申请日：2019-05-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米多孔材料技术领域，具体为一种无机盐界面诱导组装制备二维有序介孔纳米片的方法。本发明以可溶性无机盐为基底、两亲性嵌段共聚物为模板剂，采用真空抽滤或低速离心实现目标前驱体溶液在无机盐晶体界面均匀扩散与传递；利用溶剂挥发诱导共组装技术形成高度有序的单层介孔结构；通过梯度控温奥斯瓦熟化促使有机溶剂挥发并诱导成型，在N2保护下去除模板剂，得到高度有序的单层二维介孔纳米片材料。所组装的纳米片材料具有较大孔径、规则的球形孔道且有序排列；通过改变前驱体的类型可合成多种介孔金属氧化物、金属单质、无机非金属纳米片。本发明方法简单，原料易得，对纳米材料具有普适性，适于放大生产。
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公开(公告)号：CN110127661B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201910391031.7
申请日：2019-05-11
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B32/15 , C01G23/053 , B82Y40/00 , C01B33/12 , C01F7/30 , C01G25/02 , C01G25/00 , C01F17/235 , C01F17/10
Abstract: 本发明属于纳米多孔材料技术领域，具体为一种无机盐界面诱导组装制备二维有序介孔纳米片的方法。本发明以可溶性无机盐为基底、两亲性嵌段共聚物为模板剂，采用真空抽滤或低速离心实现目标前驱体溶液在无机盐晶体界面均匀扩散与传递；利用溶剂挥发诱导共组装技术形成高度有序的单层介孔结构；通过梯度控温奥斯瓦熟化促使有机溶剂挥发并诱导成型，在N2保护下去除模板剂，得到高度有序的单层二维介孔纳米片材料。所组装的纳米片材料具有较大孔径、规则的球形孔道且有序排列；通过改变前驱体的类型可合成多种介孔金属氧化物、金属单质、无机非金属纳米片。本发明方法简单，原料易得，对纳米材料具有普适性，适于放大生产。
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公开(公告)号：CN110127620A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910391024.7
申请日：2019-05-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料技术领域，具体为金属氧化物有序交叉纳米线阵列材料及其制备方法。本发明以两亲性嵌段共聚物作为模板剂，四氢呋喃等作为溶剂，多金属氧酸盐作为无机前驱体合成金属氧化物有序交叉纳米线；其中，嵌段共聚物起到结构导向剂的作用，其亲水端与多金属氧酸盐阴离子通过静电作用力结合，在溶剂中形成核壳柱状胶束，在溶剂挥发过程中自组装形成层层交叉堆叠的有机-无机复合有序纳米结构；在空气中焙烧除掉高分子模板剂，得到组成元素多样的金属氧化物有序交叉纳米线。所合成的金属氧化物半导体纳米线材料具有高比表面积和高结晶度，同时实现了杂原子的均匀掺杂。本发明方法简单，原料易得，适于放大生产。
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