公开(公告)号：CN110416312B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201910653176.X

申请日：2019-07-19

申请人： 复旦大学

发明人： 丁士进 ,  李凌凯 ,  邵龑 ,  吴小晗

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34

摘要： 本发明涉及一种低功耗神经突触薄膜晶体管及其制备方法，晶体管的结构从下至上依次为：背栅电极、栅介质层、导电沟道以及源‑漏电极，源‑漏电极设置在栅介质层的上表面，导电沟道位于源‑漏电极的上表面及两侧，在源‑漏电极的上表面形成沟道。与现有技术相比，本发明具有法焦级别的超低功耗；不同的介质层制备温度可以实现数毫秒到数千秒可调的记忆时间；同时全无机材料的使用使器件的稳定性得到了很大的提高；该低功耗神经突触薄膜晶体管的柔性和突触性能可用于柔性电子和大规模神经形态电路系统。

公开(公告)号：CN109148594B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201810778756.7

申请日：2018-07-16

申请人： 复旦大学

发明人： 丁士进 ,  邵龑 ,  刘文军 ,  张卫

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/285 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺及应用，该工艺包含：步骤1，将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，抽真空；步骤2，在20~40℃下，沉积生长Al2O3；步骤3，将步骤2所得器件放入磁控溅射沉积腔中，抽真空；步骤4，在20~40℃下，生长IGZO沟道层；步骤5，对步骤4所得的器件进行紫外曝光、刻蚀形成沟道；步骤6，进行第二次光刻，蒸镀源漏电极，去光刻胶，无需进行退火处理，得到底栅型高性能薄膜晶体管。本发明提供了高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺，并且该薄膜晶体管具有对不同波长光的响应能力可用于柔性电子、光电探测、生物电子等领域。

公开(公告)号：CN110416312A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910653176.X

申请日：2019-07-19

申请人： 复旦大学

发明人： 丁士进 ,  李凌凯 ,  邵龑 ,  吴小晗

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34

摘要： 本发明涉及一种低功耗神经突触薄膜晶体管及其制备方法，晶体管的结构从下至上依次为：背栅电极、栅介质层、导电沟道以及源-漏电极，源-漏电极设置在栅介质层的上表面，导电沟道位于源-漏电极的上表面及两侧，在源-漏电极的上表面形成沟道。与现有技术相比，本发明具有法焦级别的超低功耗；不同的介质层制备温度可以实现数毫秒到数千秒可调的记忆时间；同时全无机材料的使用使器件的稳定性得到了很大的提高；该低功耗神经突触薄膜晶体管的柔性和突触性能可用于柔性电子和大规模神经形态电路系统。

公开(公告)号：CN109148594A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810778756.7

申请日：2018-07-16

申请人： 复旦大学

发明人： 丁士进 ,  邵龑 ,  刘文军 ,  张卫

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/285 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明公开了一种高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺及应用，该工艺包含：步骤1，将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，抽真空；步骤2，在20~40℃下，沉积生长Al2O3；步骤3，将步骤2所得器件放入磁控溅射沉积腔中，抽真空；步骤4，在20~40℃下，生长IGZO沟道层；步骤5，对步骤4所得的器件进行紫外曝光、刻蚀形成沟道；步骤6，进行第二次光刻，蒸镀源漏电极，去光刻胶，无需进行退火处理，得到底栅型高性能薄膜晶体管。本发明提供了高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺，并且该薄膜晶体管具有对不同波长光的响应能力可用于柔性电子、光电探测、生物电子等领域。