公开(公告)号：CN104779305A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510157384.2

申请日：2015-04-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 邱迎 ,  王亮兴 ,  沈杰 ,  陆明

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/055 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于太阳能光伏电池技术领域，具体为一种基于硅电池的上转换加场效应结构的太阳电池及其制备方法。本发明制备方法的具体步骤包括：制备p-n结，对p型或n型硅片进行掺杂形成p-n结；n型表面钝化，蒸镀一层带正电的二氧化硅钝化层；p型表面钝化加场效应，蒸镀一层带负电的三氧化二铝；下表面掺杂一层稀土离子上转换材料；上表面镀减反射膜；蒸镀上下电极。本发明方法对设备要求较低，成本低廉，安全无毒，且得到一种新型结构的硅太阳电池，可用于大规模生产。

公开(公告)号：CN104064625A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410268886.8

申请日：2014-06-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 邱迎 ,  王亮兴 ,  周靖 ,  宋省池 ,  陆明

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明属于光伏新型材料技术领域，具体为一种基于硅纳米锥晶体的全太阳光谱响应的太阳电池制备方法。具体步骤包括：（1）制备PN结，对P型或N型硅片进行掺杂形成PN结；（2）表面硅纳米锥制备，对硅片进行大束流离子束轰击，在表面自组织生长硅纳米锥，同时进行真空退火，消除表面缺陷；（3）上表面钝化，蒸镀一层二氧化硅或三氧化二铝或氮化硅等钝化层；（4）下表面钝化加场效应，蒸镀一层三氧化二铝或氧化镁；（5）制作上下电极。本发明方法对设备要求较低，成本低廉，安全无毒，是一种新型的制备全太阳光谱响应太阳电池的方法。