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公开(公告)号：CN112986320A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110177763.3
申请日：2021-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 本发明属于微电子封装技术领域，具体涉及了一种薄膜热膨胀系数的测定方法。本发明采用薄膜制备工艺或者纳米压痕仪划痕的方式，在待测均匀薄膜表面做出台阶状的结构；提供参比薄膜，用原子力显微镜或纳米压痕仪平面扫描的模式检测不同温度下薄膜厚度的变化，通过已知参比薄膜的热膨胀系数修正设备在不同温度下膨胀数值，通过曲线拟合获得修正公式；对待测薄膜在不同温度下用原子力显微镜或纳米压痕仪的平面扫描模式，检测薄膜厚度的变化，利用公式并带入设备的修正系数，计算待测薄膜的热膨胀系数，特别适用于无法从基底剥离的、超薄的薄膜材料热膨胀系数的测定。
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