一种简便环保的聚合物多孔材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106589208B

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201611139077.2

    申请日:2016-12-12

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于材料技术领域,具体为一种简便环保的聚合物多孔材料的制备方法。本发明先将水溶性单体和引发剂溶于水中,然后以经表面功能化修饰的无机颗粒GO为Pickering稳定剂,制备水包气乳液,再将水溶性单体在一定条件下聚合,最后通过干燥得到聚合物多孔材料。使用GO作为水包气Pickering乳液,GO十分突出的比表面积显著降低了乳液中稳定剂的含量,并可获得稳定性极佳的Pickering乳液。相比于通过水包油乳液模板制备聚合物多孔材料的方法,本发明不需使用对环境造成污染的有机物作为分散相,省去除去分散相的后续过程,更加环保且简便;由于使用空气为分散相,更易获得具有较好通透性孔结构的聚合物多孔材料,有利于其在吸附、组织工程支架等领域的应用。

    一种超高孔隙率多孔二氧化硅的制备方法

    公开(公告)号:CN107311185B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201710486735.3

    申请日:2017-06-23

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于材料技术领域,具体为一种超高孔隙率超轻多孔二氧化硅的制备方法。本发明采用有机硅的预聚物作为油包水乳液的稳定剂,这种有机硅预聚体在油水界面上与水发生接触后会水解生成羟基具有界面活性,并进一步缩合生成硅氧硅键;有机硅前驱体水解缩合后在油水界面上形成多孔的骨架结构,然后将油相和水相同时去除,留下界面上的二氧化硅骨架,就可以得到超高孔隙率的多孔二氧化硅材料。本发明方法操作工艺简单,得到的多孔材料孔隙率能达到99%,比表面积能达到755 m2/g。

    聚合物半导体薄膜及其制备方法、气体传感器

    公开(公告)号:CN113429605B

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202110720204.2

    申请日:2021-06-28

    Abstract: 本发明提供了一种聚合物半导体薄膜的制备方法,包括步骤:S0:将衬底放入原子层沉积设备的反应腔体中;S1:向所述反应腔体中通入第一混合反应气体,所述第一混合反应气体包括第一前驱体;S2:向所述反应腔体中通入第二混合反应气体,所述第二混合反应气体包括第二前驱体,使所述第一前驱体与所述第二前驱体反应生成聚合物;S3:循环交替进行所述步骤S1和所述步骤S2,直至生成的聚合物半导体薄膜达到目标薄膜厚度,使得制备的聚合物半导体薄膜厚度精确可控,可以精确到纳米级别,并且即使在小于10nm的超薄厚度下,所述聚合物半导体薄膜仍然具有连续、均匀的薄膜形貌。本发明还提供一种聚合物半导体薄膜和气体传感器。

    聚合物半导体薄膜及其制备方法、气体传感器

    公开(公告)号:CN113429605A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110720204.2

    申请日:2021-06-28

    Abstract: 本发明提供了一种聚合物半导体薄膜的制备方法,包括步骤:S0:将衬底放入原子层沉积设备的反应腔体中;S1:向所述反应腔体中通入第一混合反应气体,所述第一混合反应气体包括第一前驱体;S2:向所述反应腔体中通入第二混合反应气体,所述第二混合反应气体包括第二前驱体,使所述第一前驱体与所述第二前驱体反应生成聚合物;S3:循环交替进行所述步骤S1和所述步骤S2,直至生成的聚合物半导体薄膜达到目标薄膜厚度,使得制备的聚合物半导体薄膜厚度精确可控,可以精确到纳米级别,并且即使在小于10nm的超薄厚度下,所述聚合物半导体薄膜仍然具有连续、均匀的薄膜形貌。本发明还提供一种聚合物半导体薄膜和气体传感器。

    一种超高孔隙率多孔二氧化硅的制备方法

    公开(公告)号:CN107311185A

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201710486735.3

    申请日:2017-06-23

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于材料技术领域,具体为一种超高孔隙率超轻多孔二氧化硅的制备方法。本发明采用有机硅的预聚物作为油包水乳液的稳定剂,这种有机硅预聚体在油水界面上与水发生接触后会水解生成羟基具有界面活性,并进一步缩合生成硅氧硅键;有机硅前驱体水解缩合后在油水界面上形成多孔的骨架结构,然后将油相和水相同时去除,留下界面上的二氧化硅骨架,就可以得到超高孔隙率的多孔二氧化硅材料。本发明方法操作工艺简单,得到的多孔材料孔隙率能达到99%,比表面积能达到755 m2/g。

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