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公开(公告)号:CN118738232A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410811288.4
申请日:2024-06-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本申请提供了一种micro‑LED芯片的制备方法及micro‑LED芯片,涉及半导体技术领域,该方法包括:在目标衬底上生长外延层;在外延层表面生成目标ITO薄膜;刻蚀外延层至n型GaN层的表面,形成n型GaN台面结构;在n型GaN台面结构的n型GaN层暴露区域刻蚀n型GaN层至目标衬底的表面,得到micro‑LED阵列结构,micro‑LED阵列结构中的各个micro‑LED结构之间是相互电气隔离的;在micro‑LED阵列结构上生长绝缘层及目标电极,得到micro‑LED芯片。实施本申请提供的技术方案,解决了相关技术中存在的Micro‑LED芯片的通信效率较低的技术问题。
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公开(公告)号:CN118539987A
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202410811292.0
申请日:2024-06-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H04B10/40 , H04B10/50 , H04B10/116 , H04L27/36
Abstract: 本申请提供了一种可见光通信系统、方法及装置,涉及通信技术领域,该装置包括:第一micro‑LED阵列,第一光学系统,其中,驱动模块向第一micro‑LED阵列输入目标驱动信号;在目标驱动信号为正偏时,第一micro‑LED阵列向外发射光信号,第一光学系统将光信号转换为第一准直光束传输给其他可见光通信装置,目标驱动信号包括多路调制信号,是对第一原始数据流进行调制得到的;第一光学系统还接收其他可见光通信装置发射的第二准直光束,并将第二准直光束分离为多个光斑信号,在目标驱动信号为反偏时,第一micro‑LED阵列接收多个光斑信号。实施本申请的技术方案,解决了相关技术中存在的可见光通信系统复杂及集成难度大的技术问题。
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