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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113267714B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110472854.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于测试技术领域，具体为一种多针阵列式伪MOS结构测量探头。本发明测量探头由外围多根探针围绕中央一根探针呈环形均匀排布组成，中央一根探针接出一根引线作为源极（或漏极）传导，外围多根探针短路连接共同接出一根引线作为漏极（或源极）传导，中央一根探针与外围多根探针的间距相同，为0.2‑5mm；外围探针数量根据测试需要灵活设置。本发明提出的测量探头可有效屏蔽测量过程中的本征漏电点，且屏蔽效果随着外围多针数目的增加而增强。该测量探头可普遍应用于绝缘层上硅（SOI）、绝缘层上锗（GeOI）、氧化层上多晶硅等结构的测量和表征。
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公开(公告)号：CN113267714A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110472854.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于测试技术领域，具体为一种多针阵列式伪MOS结构测量探头。本发明测量探头由外围多根探针围绕中央一根探针呈环形均匀排布组成，中央一根探针接出一根引线作为源极（或漏极）传导，外围多根探针短路连接共同接出一根引线作为漏极（或源极）传导，中央一根探针与外围多根探针的间距相同，为0.2‑5mm；外围探针数量根据测试需要灵活设置。本发明提出的测量探头可有效屏蔽测量过程中的本征漏电点，且屏蔽效果随着外围多针数目的增加而增强。该测量探头可普遍应用于绝缘层上硅（SOI）、绝缘层上锗（GeOI）、氧化层上多晶硅等结构的测量和表征。
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公开(公告)号：CN113311047A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110490876.9
申请日：2021-05-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种纳米金颗粒修饰的伪MOS生化分子传感器及其制备方法。本发明的伪MOS生化分子传感器包括衬底、氧化埋层、沟道、纳米金颗粒、生物分子或化学分子；衬底、氧化埋层和沟道共同组成伪MOS结构；纳米金颗粒通过电子束蒸发镀膜工艺修饰在伪MOS结构沟道表面，作为伪MOS结构沟道与生化分子或化学分子之间的“linker”，从而更好地固载生化分子，提高生化分子传感器的检测性能。本发明生化分子传感器可用于核酸、蛋白、酶等各种生物分子，以及无机小分子和有机小分子等的灵敏和超灵敏检测。
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公开(公告)号：CN114634864A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210182989.7
申请日：2022-02-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种快速基因检测装置与方法。本发明快速基因检测装置包括体衬底、氧化埋层、沟道、金属电极、介质层、纳米金颗粒、绝缘层、受体分子、靶标基因和微反应腔。本发明利用静电感应富集的原理进行靶标基因往传感界面的富集，利用静电感应平衡的原理进行测试液体的再平衡；具体为，先在体衬底上施加偏压以通过静电感应在测试液体中产生向上的电场吸引在生理盐水中荷负电的靶标基因，然后在体衬底上施加偏压以通过静电感应在测试液体中产生向下的电场推斥未杂交的靶标基因。本发明可显著缩短反应时间，实现各种基因分子的快速和高灵敏检测。
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公开(公告)号：CN113311047B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110490876.9
申请日：2021-05-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种纳米金颗粒修饰的伪MOS生化分子传感器及其制备方法。本发明的伪MOS生化分子传感器包括衬底、氧化埋层、沟道、纳米金颗粒、生物分子或化学分子；衬底、氧化埋层和沟道共同组成伪MOS结构；纳米金颗粒通过电子束蒸发镀膜工艺修饰在伪MOS结构沟道表面，作为伪MOS结构沟道与生化分子或化学分子之间的“linker”，从而更好地固载生化分子，提高生化分子传感器的检测性能。本发明生化分子传感器可用于核酸、蛋白、酶等各种生物分子，以及无机小分子和有机小分子等的灵敏和超灵敏检测。
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