基于雪崩晶体管的半导体激光器脉冲驱动电路

    公开(公告)号:CN103094833A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201310050363.1

    申请日:2013-02-09

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于半导体激光器技术领域,具体为一种基于雪崩晶体管的脉冲半导体激光器驱动电路。其组成包括:外置的高压可调直流电源,由激光二极管、储能电容器、雪崩晶体管组成的充放电回路,可编程延时器,雪崩晶体管驱动电路;充放电回路中,雪崩晶体管的发射极通过取样电阻接地,集电极连接储能电容器,储能电容器另一端连接激光二极管负极,激光二极管正极接地;本发明采用电容经过雪崩管快速对激光二极管放电的方式产生快的驱动电流得到快的光脉冲,脉冲电流上升沿小于5ns,脉宽20ns至1us,峰值10A至100A连续可调。在电路中包含精密延时器件,适用于需要精确同步的多路触发装置中。

    激光二极管触发的光导开关导通性能测试装置

    公开(公告)号:CN203054147U

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201220714982.7

    申请日:2012-12-21

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本实用新型属于开关器件测试技术领域,具体为一种激光二极管触发的光导开关导通性能测试装置。本实用新型包含高压偏置源、激光二极管驱动、同步控制系统、光导开关检测电路系统和光导开关检测平台。通过同步控制系统控制偏压与驱动的同步性,通过光学平台控制激光二极管与光导开关的相对触发位置。本实用新型适用于实验室及研究所以及制造测试光导开关的厂家。

    基于雪崩晶体管的半导体激光器脉冲驱动电路

    公开(公告)号:CN203242917U

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:CN201320072210.2

    申请日:2013-02-09

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本实用新型属于半导体激光器技术领域,具体为一种基于雪崩晶体管的脉冲半导体激光器驱动电路。其组成包括:外置的高压可调直流电源,由激光二极管、储能电容器、雪崩晶体管组成的充放电回路,可编程延时器,雪崩晶体管驱动电路;充放电回路中,雪崩晶体管的发射极通过取样电阻接地,集电极连接储能电容器,储能电容器另一端连接激光二极管负极,激光二极管正极接地;本实用新型采用电容经过雪崩管快速对激光二极管放电的方式产生快的驱动电流得到快的光脉冲,脉冲电流上升沿小于5ns,脉宽20ns至1us,峰值10A至100A连续可调。在电路中包含精密延时器件,适用于需要精确同步的多路触发装置中。

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