Inventor:
资剑
,
乔峰
,
张淳
,
万钧
,
胡新华
,
韩得专
,
李乙洲
,
傅利民
,
王昕
,
许春
,
吴颖灏
,
高霞
,
王国忠
Abstract:
本发明是一种光子晶体量子阱结构。本发明用两种不同的介电材料组成光子晶体,然后以光子晶体A/光子晶体B/光子晶体A排列制成光子晶体量子阱结构。选择适当的结构和介电常数配比,使量子阱即中间光子晶体的光子能带结构与势垒区即两端光子晶体的能带结构不同。由于两种光子晶体的光子能带结构不同,光波的传输特性可以得到调制,出现许多新的物理现象。