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公开(公告)号：CN1865500A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610028008.4
申请日：2006-06-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于化学镀铜技术领域，具体为一种在硅片上镀铜的新方法。该方法是在含铜盐的氢氟酸溶液中，在硅片表面引入铜晶种作为催化剂，进而进行镀铜。由于铜的自催化作用，可以快速地引发化学镀镀液中铜离子的还原，使得还原出的铜快速地沉积在基底的表面上，得到牢固、光亮和均匀的铜镀层。本发明方法操作简便，价格低廉，同时又提高了铜膜的纯度和导电性能。
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