公开(公告)号：CN113035724B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202110195619.2

申请日：2021-02-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江京 ,  樊嘉杰 ,  张国旗

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明公开了一种多芯片封装结构及其制作方法。本发明经过铜基板图形化、固晶及导电层连接、制作电介质材料或顶部导电层、介质图形化及开孔、孔金属化、介质上金属图形化、制作中间介质层、整体孔加工、孔金属化或填充电介质、上/下面金属图形化等工艺流程完成多芯模块封装；本发明整个工艺过程完全与PCB设备及工艺兼容，得到的多芯模块结构简单，电气路径短、散热路径短、具有优异的低阻特性和散热效果，可以实现小型化、轻薄化的效果。

公开(公告)号：CN113035724A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110195619.2

申请日：2021-02-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江京 ,  樊嘉杰 ,  张国旗

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明公开了一种多芯片封装结构及其制作方法。本发明经过铜基板图形化、固晶及导电层连接、制作电介质材料或顶部导电层、介质图形化及开孔、孔金属化、介质上金属图形化、制作中间介质层、整体孔加工、孔金属化或填充电介质、上/下面金属图形化等工艺流程完成多芯模块封装；本发明整个工艺过程完全与PCB设备及工艺兼容，得到的多芯模块结构简单，电气路径短、散热路径短、具有优异的低阻特性和散热效果，可以实现小型化、轻薄化的效果。