公开(公告)号：CN102254072A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110219237.5

申请日：2011-08-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 梅光辉 ,  李佩成 ,  胡光喜 ,  倪亚路 ,  刘冉

IPC: G06F17/50

CPC classification number: Y02E60/76 ,  Y04S40/22

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算围栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的解析模型。本发明通过求出围栅结构MOSFET的电势分布，根据电势分布求出其表面电荷密度，然后根据本发明阈值电压的定义方法，在器件虚电极处表面电荷密度等于临界电荷密度时候对应的栅电压为阈值电压，从而得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，且计算精度高，为电路模拟软件在研究新型围栅器件时候，提供了一种快速精确的工具。

公开(公告)号：CN102508942A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110297299.8

申请日：2011-09-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 胡光喜 ,  顾经纶 ,  梅光辉

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种围栅结构金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）源漏电流解析模型。本发明针对围栅结构MOSFET的不同沟道长度，根据McKelvey的通量理论，得到这种器件的电流电压模型。只要调整其中的参数，即可得到沟道很短时（约30纳米）量子线晶体管的弹道输运模型结果，也可得到沟道较长时（约100纳米）的载流子扩散模型。该模型物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为新型围栅器件的电路模拟提供了一种有效的方法。

公开(公告)号：CN102270263A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110260259.6

申请日：2011-09-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李佩成 ,  梅光辉 ,  胡光喜 ,  倪亚路 ,  刘冉

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义方法，当栅极所加电压使得硅表面处导带最低点与硅的费米能级重合时的电压值，从而得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究新型肖特基源漏双栅结构器件时候，提供了一种快速的工具。

公开(公告)号：CN102270263B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110260259.6

申请日：2011-09-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李佩成 ,  梅光辉 ,  胡光喜 ,  倪亚路 ,  刘冉

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义方法，当栅极所加电压使得硅表面处导带最低点与硅的费米能级重合时的电压值，从而得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究新型肖特基源漏双栅结构器件时候，提供了一种快速的工具。