公开(公告)号：CN115884599A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211577445.7

申请日：2022-12-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  李煜淳

IPC: H10B53/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电电容器及其制备方法，在高阻硅片上采用原子层沉积技术生长氧化铝（Al2O3）薄膜，然后在Al2O3薄膜上沉积氧化锆（ZrO2）籽晶层，在籽晶层上生长氧化铪HfO2铁电薄膜，利用磁控溅射、光刻、刻蚀制备顶电极，最后采用快速热退火形成铁电电容器。在本发明的电容存储器结构中，通过构建具有高介电常数的双层堆叠界面层优化HfO2铁电薄膜与半导体硅沟道的界面，增加了HfO2铁电相的成分、减弱了沟道电荷注入，实现高性能的电容存储功能。

公开(公告)号：CN115775687A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211614877.0

申请日：2022-12-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  黄腾 ,  李煜淳

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/002 ,  H01G13/00

Abstract: 本发明公开了一种镓掺杂的氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法；本发明在硅/二氧化硅片上采用物理气相沉积技术生长底电极钨，然后在钨电极上采用等离子体增强原子层沉积技术生长镓掺杂氧化铪铁电薄膜，再利用物理气相沉积、光刻、剥离制备顶电极，最后采用快速热退火形成铁电电容器。本发明的镓掺杂氧化铪基铁电薄膜，通过采用原子半径较小的镓原子取代部分铪原子，在氧化铪薄膜中产生较大的应力，诱导铁电相的产生，实现了低矫顽场、高可靠性。