公开(公告)号：CN100557873C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710039647.5

申请日：2007-04-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蔡文斌 ,  李巧霞

IPC: H01M8/02 ,  H01M4/88

Abstract: 本发明属薄膜电极制备技术领域，具体为一种具有超低Pt含量，且对CO和CH3OH有较高催化活性的钌核铂壳纳米薄膜的制备方法。其步骤是先在半圆硅柱反射底面化学镀金，采用两步湿法在金上电沉积5-6纳米厚的Ru膜，再在Ru膜上采用自发沉积法覆盖Pt层，重复上述还原/沉积步骤1-4次，即得所需Ru@Pt纳米薄膜电极。该薄膜电极兼有Pt-Ru合金催化剂的优点，而且可以直接用于现场ATR-SEIRAS研究电催化吸附与效应。

公开(公告)号：CN101038969A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710039647.5

申请日：2007-04-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蔡文斌 ,  李巧霞

IPC: H01M8/02 ,  H01M4/88

Abstract: 本发明属薄膜电极制备技术领域，具体为一种具有超低Pt含量，且对CO和CH3OH有较高催化活性的钌核铂壳纳米薄膜的制备方法。其步骤是先在半圆硅柱反射底面化学镀金，采用两步湿法在金上电沉积5－6纳米厚的Ru膜，再在Ru膜上采用自发沉积法覆盖Pt层，重复上述还原/沉积步骤1－4次，即得所需Ru@Pt纳米薄膜电极。该薄膜电极兼有Pt－Ru合金催化剂的优点，而且可以直接用于现场ATR－SEIRAS研究电催化吸附与效应。