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公开(公告)号：CN102839354A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210374157.1
申请日：2012-10-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于自旋半导体材料技术领域，具体为一种组分可控的ZrOx薄膜的制备方法。本发明采用纯度为4N的金属锆作为靶材，通过控制反应气体氧气与工作气体氩气（纯度皆为5N）的流量比（代表性的流量比O2:Ar=(4,6,8):35sccm），来改变制备ZrOx薄膜中氧元素的含量。测试结果表明，随着氧含量的增加，不同组分的ZrOx薄膜发生由顺磁性到铁磁性的转变。具备此特性的ZrOx薄膜具有很高的潜在应用价值。
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