一种三维神经微电极阵列的制作方法

    公开(公告)号:CN101121500A

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN200710045640.4

    申请日:2007-09-06

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于微电极微加工技术领域,具体为一种三维神经微电极阵列的制作方法。本发明利用玻璃模具、PDMS的微复制特性和电镀技术制作三维微电极阵列,用精密切割机切割玻璃形成柱状阵列,用HF和NH4F的混合液腐蚀出相应的结构作为PDMS微复制的模具,免去了光刻工艺,消除了光刻胶对三维结构尺寸的限制,可以制作更大长度的微电极阵列,这一长度决定于玻璃的切割深度和金属的深孔电镀技术。本发明方法,工艺简单,可以大大降低成本。

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