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公开(公告)号：CN102332867B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110206157.6
申请日：2011-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有单端电路补偿结构的低噪声放大器。本发明包括输入匹配级、放大级、负载级、反馈级和单端电路补偿级；本发明在单端电路接地点处提供一个反相信号，该反相信号与单端电路提供的信号在芯片内接地处形成一个交流信号虚地点，以最大限度消除片外非理想因素对片内单端电路的影响。本发明结构简单，实用性强，可以很好的解决片内单端电路对于片外电源和地非理想因素的敏感问题。
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公开(公告)号：CN102355258A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110220636.3
申请日：2011-08-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体为一种基于注入锁定倍频器的低相噪正交压控振荡器，可应用于无线接收机集成电路中。该正交压控振荡器由两个工作在基频f0的压控振荡器，两对耦合管和一个工作在两倍频2f0的压控振荡器构成。其中耦合管和工作频率为2f0的压控振荡器一起组成了注入锁定倍频器。本发明中，相位噪声是由工作频率为f0的差分压控振荡器决定的，相位误差是由注入锁定倍频器决定的。同传统的正交压控振荡器不同，该正交压控振荡器中不存在相位噪声和相位误差的折衷关系，可以在保证高相位精度的前提下实现低相位噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102355258B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110220636.3
申请日：2011-08-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体为一种基于注入锁定倍频器的低相噪正交压控振荡器，可应用于无线接收机集成电路中。该正交压控振荡器由两个工作在基频f0的压控振荡器，两对耦合管和一个工作在两倍频2f0的压控振荡器构成。其中耦合管和工作频率为2f0的压控振荡器一起组成了注入锁定倍频器。本发明中，相位噪声是由工作频率为f0的差分压控振荡器决定的，相位误差是由注入锁定倍频器决定的。同传统的正交压控振荡器不同，该正交压控振荡器中不存在相位噪声和相位误差的折衷关系，可以在保证高相位精度的前提下实现低相位噪声。
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公开(公告)号：CN102332867A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110206157.6
申请日：2011-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有单端电路补偿结构的低噪声放大器。本发明包括输入匹配级、放大级、负载级、反馈级和单端电路补偿级；本发明在单端电路接地点处提供一个反相信号，该反相信号与单端电路提供的信号在芯片内接地处形成一个交流信号虚地点，以最大限度消除片外非理想因素对片内单端电路的影响。本发明结构简单，实用性强，可以很好的解决片内单端电路对于片外电源和地非理想因素的敏感问题。
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公开(公告)号：CN102332877B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110206385.3
申请日：2011-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器。它由匹配级、放大级、反馈级和负载级组成第一级放大器；由有源片上Balun构成第二级放大器。其中，匹配级使用键合线电感、寄生电容、栅极电感与电路输入阻抗组成匹配网络；放大级使用共源级NMOS管与PMOS管作为输入端，共栅级NMOS管作为电流跟随器；输入NMOS管栅极与电流跟随器NMOS管漏极之间的NMOS管与电阻构成“电压-电流”型负反馈通路；第三级放大器的有源Balun分别使用共源和源跟随器来实现Balun的单转双功能。本发明结构简单，占用芯片面积小，功耗低，带宽覆盖范围大，增加电路可实用性。该低噪声放大器可以应用于0.5～10.6GHz的多模接收机前端中。
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公开(公告)号：CN102332915A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110208807.0
申请日：2011-07-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H03L7/183
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体涉及一种具有宽锁定范围的次谐波注入锁定压控振荡器。该压控振荡器包括：片上电感电容谐振器、由2个NMOS管交叉耦合连接而成的负阻产生器、用来对振荡频率进行粗调谐的数字控制电容阵列、用来对振荡频率进行细调谐的具有线性化特性的可变电容阵列、注入对管、脉冲产生电路。通过将两级脉冲产生电路进行级联，最终在一个参考时钟周期内得到四个脉宽等于的输出信号半个周期的窄脉冲，称这种方法为四沿注入。相对于传统的双沿注入方式，本发明可以有效的增加注入信号目标谐波的幅度，增大压控振荡器的锁定范围，可应用于无线接收机频率综合器中。
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公开(公告)号：CN102332877A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110206385.3
申请日：2011-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器。它由匹配级、放大级、反馈级和负载级组成第一级放大器；由有源片上Balun构成第二级放大器。其中，匹配级使用键合线电感、寄生电容、栅极电感与电路输入阻抗组成匹配网络；放大级使用共源级NMOS管与PMOS管作为输入端，共栅级NMOS管作为电流跟随器；输入NMOS管栅极与电流跟随器NMOS管漏极之间的NMOS管与电阻构成“电压-电流”型负反馈通路；第三级放大器的有源Balun分别使用共源和源跟随器来实现Balun的单转双功能。本发明结构简单，占用芯片面积小，功耗低，带宽覆盖范围大，增加电路可实用性。该低噪声放大器可以应用于0.5~10.6GHz的多模接收机前端中。
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