公开(公告)号：CN112768348B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110059078.0

申请日：2021-01-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  陈一凡 ,  庄晓 ,  江钧 ,  汪超

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明属于存储材料制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法。本发明方法包括：硬掩膜制作、倾斜刻蚀、金属黑化修正侧壁以及湿法腐蚀清洗。与传统的直接利用干法刻蚀铌酸锂图形不同，本方法将干法刻蚀与湿法刻蚀相结合，不仅能够获得刻蚀角度陡直、侧壁光滑的铌酸锂图形，而且刻蚀效率也极高，同时可对铌酸锂图形进行后期修正。本发明方法对基于铌酸锂材料的纳米加工具有极大意义，并且不会破坏材料的铁电特性。

公开(公告)号：CN113421881A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110577778.9

申请日：2021-05-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  庄晓 ,  柴晓杰 ,  江钧 ,  孙杰 ,  张文笛

IPC: H01L27/11507

Abstract: 本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种通过金属扩散调节铁电存储器表面层有效厚度的方法。本发明是在铁电存储单元表面层与电极接触部位间增加金属扩散层，使金属原子扩散进入部分或全部铁电表面层区域，从而调减表面层有效厚度，实现对表面层选择管开启电压大小的连续调节。本发明在金属扩散层制备完成后，采用高温保温或后热退火的方法调控扩散层金属向铁电材料内部的扩散深度。本发明实现了开启电压连续可调，甚至可降低至接近零；同时，开态电流增大，存储器读写操作电压减小，可提高器件可缩微性或存储密度，实现功耗的大幅度降低，开关比可达105，存储器性能获得大幅度提升。本发明为深化高密度铁电存储器的商业化开拓了思路。

公开(公告)号：CN113421881B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202110577778.9

申请日：2021-05-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  庄晓 ,  柴晓杰 ,  江钧 ,  孙杰 ,  张文笛

IPC: H01L27/11507

Abstract: 本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种通过金属扩散调节铁电存储器表面层有效厚度的方法。本发明是在铁电存储单元表面层与电极接触部位间增加金属扩散层，使金属原子扩散进入部分或全部铁电表面层区域，从而调减表面层有效厚度，实现对表面层选择管开启电压大小的连续调节。本发明在金属扩散层制备完成后，采用高温保温或后热退火的方法调控扩散层金属向铁电材料内部的扩散深度。本发明实现了开启电压连续可调，甚至可降低至接近零；同时，开态电流增大，存储器读写操作电压减小，可提高器件可缩微性或存储密度，实现功耗的大幅度降低，开关比可达105，存储器性能获得大幅度提升。本发明为深化高密度铁电存储器的商业化开拓了思路。