公开(公告)号：CN104008961A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410227149.3

申请日：2014-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 赵利 ,  庄军 ,  邵和助 ,  李宁 ,  董晓 ,  朱震 ,  孙海彬 ,  梁葱

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明涉及半导体晶片技术领域，具体为一种改善半导体硅晶片机械性能的方法。本发明方法包括如下步骤：选择工业用FZ或CZ方法得到的硅晶片，对所述硅晶片彻底清洗；将所述硅晶片置于一定压强的含氮密闭气体氛围中；在所述气体氛围中，用超快激光辐照所述硅片。使用该方法得到的硅晶片，由于氮元素的超饱和重掺杂作用，氮元素聚集在硅晶片位错周围，形成团簇或复合物。所述团簇与复合物间具有强烈的相互作用并将位错锁定，达到增强该硅片机械性能的目的。同时，由于氮元素的超饱和重掺杂的效果，使得硅晶片中的氧含量减少，提高产品良率。