公开(公告)号：CN106898694A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710120044.1

申请日：2017-03-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  唐明洪 ,  朱伟骅 ,  林亮 ,  赵柄丞

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为一种可调控垂直交换耦合场大小的复合磁性多层膜结构。垂直复合薄膜结构为：玻璃衬底/Ta(5) /Cu(3) /[Co(0.28)/Ni(0.58)]5 /Cu(tCu)/TbxCo100‑x(tFI)/Ta (8)。通过对比和改变非磁性夹层金属材料的厚度，制出具有高交换耦合场的[Co/Ni]5/Cu(tCu) /TbCo复合膜结构，并且Cu厚度在0.7~2.0nm间改变时交换耦合场大小可在3 kOe~0 Oe间可调。复合结构[Co(0.28)/Ni(0.58)]5/Cu(tCu) / Tb25Co75(12)在选取Cu为0.7nm时所产生的高达3 kOe的交换耦合场值比传统的反铁磁材料（MnIr或PtMn）钉扎所提供的最大交换偏置场（~1 kOe）提升了近三倍。