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公开(公告)号：CN102252969B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110098131.4
申请日：2011-04-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于物理测量技术领域，具体为一种磁光克尔效应与磁晶各向异性场测量系统及测量方法。测量系统包括两个部分：磁铁控制部分和激光探测部分。磁铁控制部分主要包含磁铁架、电源、ADDA卡以及计算机，计算机通过ADDA卡分别控制两个电源输出电流的大小与方向，分别控制磁场的大小与方向，得到所需的合成磁场；激光探测部分由激光器、起偏器、检偏器、光电探测器、ADDA卡以及计算机组成，激光器发出的激光经通过起偏器、检偏器过滤后射到光电探测器上，信号经ADDA卡转化，传输到计算机中，得到探测点的克尔信号。本发明可消除机械振动，减小测量噪音，增大测量准确度，可以准确、高效地得到样品的磁信号和磁晶各向异性场。
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公开(公告)号：CN115133378B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202110312269.3
申请日：2021-03-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明涉及一种基于线栅结构自旋电子器件的圆偏振太赫兹辐射装置，可对太赫兹波的椭偏度及手性进行连续调节，装置包括由多层异质结结构组成的自旋电子太赫兹发射器件，多层异质结结构包括相互堆叠的磁性金属材料层和非磁金属材料层，磁性层包括铁磁、亚铁磁金属材料；非磁层采用具有高自旋‑电荷转化效率的金属材料。多层异质结在平面内为线栅结构。通过飞秒激光脉冲激发磁化后的磁性层中的自旋极化电子，然后经过非磁层转化为平面内的瞬态电流，从而产生太赫兹辐射；利用外加可调控磁场改变自旋极化电子在非磁层中的偏转方向，从而改变瞬态电流在线栅结构中的分布，实现宽频强场太赫兹椭偏度及手性的调控。与现有技术相比，本发明具有宽太赫兹光谱范围、高椭偏率、偏振状态和手性连续可调以及高产生效率等优点。
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公开(公告)号：CN115133378A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110312269.3
申请日：2021-03-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明涉及一种基于线栅结构自旋电子器件的圆偏振太赫兹辐射装置，可对太赫兹波的椭偏度及手性进行连续调节，装置包括由多层异质结结构组成的自旋电子太赫兹发射器件，多层异质结结构包括相互堆叠的磁性金属材料层和非磁金属材料层，磁性层包括铁磁、亚铁磁金属材料；非磁层采用具有高自旋‑电荷转化效率的金属材料。多层异质结在平面内为线栅结构。通过飞秒激光脉冲激发磁化后的磁性层中的自旋极化电子，然后经过非磁层转化为平面内的瞬态电流，从而产生太赫兹辐射；利用外加可调控磁场改变自旋极化电子在非磁层中的偏转方向，从而改变瞬态电流在线栅结构中的分布，实现宽频强场太赫兹椭偏度及手性的调控。与现有技术相比，本发明具有宽太赫兹光谱范围、高椭偏率、偏振状态和手性连续可调以及高产生效率等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108710090B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810493590.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/10
Abstract: 本发明属于物理测量技术领域，具体为一种利用磁光克尔效应测量反铁磁磁畴分布的方法。本发明使用一台带有采集数字图像功能的磁光克尔显微镜，测量过程包括：数据采集，即控制作为检偏器的偏振片，使其在消光位置往顺时针与逆时针方向偏离相同角度，分别采集样品表面的两张图像；数据分析，先对采集到的两张图像进行模糊，抹去所有磁畴的信息，只保留样品表面的不均匀的光强的信息，然后分别从两张原图里扣除不均匀光强的贡献，得到两张样品形貌与磁畴信息的混合信号；然后经过相减等处理，得到样品表面的反铁磁磁畴的分布。本发明方法成本较低，并为反铁磁材料的研究提供许多可能的方向。
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公开(公告)号：CN119447954A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310938998.9
申请日：2023-07-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明涉及超快非线性光学技术和自旋电子学技术领域，具体涉及一种空间‑偏振状态可编程宽谱太赫兹辐射的实现方法和装置，包括如下步骤：S1：通过磁场控制多层异质结薄膜的磁畴指向，通过激光加热直写技术于多层异质结薄膜上写入磁畴结构；S2：通过飞秒激光脉冲激发已编程的多层异质结薄膜，产生具有复杂空间‑偏振状态的太赫兹辐射。与现有技术相比，本发明解决现有技术中调控远场的空间‑偏振状态时总需要重新制作新器件而无法复用或通用的缺陷，实现了可根据需求灵活改写多层异质结薄膜的磁畴结构，进而实现调控远场太赫兹辐射的空间‑偏振分布。
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公开(公告)号：CN116646801A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310743964.4
申请日：2023-06-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本申请属于太赫兹应用技术领域，具体涉及基于自旋电子学太赫兹发射原理的太赫兹自聚焦发射源。本发明太赫兹自聚焦发射源为一半波带的环形超表面结构，包括中心的圆形部分，环饶中心圆形的若干不同半径的圆环；超表面结构的基材为在基底上生长的铁磁/重金属异质结构的纳米双层膜或者重金属1/铁磁/重金属2的纳米三层膜；对超表面结构施加磁场，使铁磁层具有一致的磁矩；利用飞秒激光脉冲作为泵浦光激励超表面结构，发射太赫兹光，并利用光的干涉作用实现对太赫兹光的聚焦；整个过程不涉及光学器件的调制，只涉及太赫兹光的发射与传播，从而实现太赫兹的自聚焦发射。聚焦强度能够达到自由传播时的80倍以上。
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公开(公告)号：CN108710090A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810493590.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/10
Abstract: 本发明属于物理测量技术领域，具体为一种利用磁光克尔效应测量反铁磁磁畴分布的方法。本发明使用一台带有采集数字图像功能的磁光克尔显微镜，测量过程包括：数据采集，即控制作为检偏器的偏振片，使其在消光位置往顺时针与逆时针方向偏离相同角度，分别采集样品表面的两张图像；数据分析，先对采集到的两张图像进行模糊，抹去所有磁畴的信息，只保留样品表面的不均匀的光强的信息，然后分别从两张原图里扣除不均匀光强的贡献，得到两张样品形貌与磁畴信息的混合信号；然后经过相减等处理，得到样品表面的反铁磁磁畴的分布。本发明方法成本较低，并为反铁磁材料的研究提供许多可能的方向。
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公开(公告)号：CN102252969A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110098131.4
申请日：2011-04-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于物理测量技术领域，具体为一种磁光克尔效应与磁晶各向异性场测量系统及测量方法。测量系统包括两个部分：磁铁控制部分和激光探测部分。磁铁控制部分主要包含磁铁架、电源、ADDA卡以及计算机，计算机通过ADDA卡分别控制两个电源输出电流的大小与方向，分别控制磁场的大小与方向，得到所需的合成磁场；激光探测部分由激光器、起偏器、检偏器、光电探测器、ADDA卡以及计算机组成，激光器发出的激光经通过起偏器、检偏器过滤后射到光电探测器上，信号经ADDA卡转化，传输到计算机中，得到探测点的克尔信号。本发明可消除机械振动，减小测量噪音，增大测量准确度，可以准确、高效地得到样品的磁信号和磁晶各向异性场。
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