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公开(公告)号：CN113437049B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110683895.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/64 , H01L27/11507 , H01L21/02 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开一种铪基铁电存储器及其制备方法。该铪基铁电存储器包括多个铪基铁电存储器单元，所述铪基铁电存储器单元包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；铪基铁电体，其为经退火后的铪铝氧薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述铪铝氧薄膜上。基于高质量的铁电HAO薄膜形成非易失性铁电存储器单元，实现了长期保持，高耐用性和稳定的存储特性，以及高剩余极化强度，并利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路，实现了存算一体的功能。
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公开(公告)号：CN113346018A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110628044.9
申请日：2021-06-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种HfO2基铁电隧道结神经突触器件及其制备方法。该HfO2基铁电隧道结神经突触器件包括：衬底，同时作为底部电极；铁电叠层，形成在所述衬底上，包括氧化锆种子层，HZO薄膜以及氧化铝覆盖层；顶部电极阵列，形成在所述铁电叠层上，以所述顶部电极阵列作为人工神经网络的突触前膜，所述底部电极作为人工神经网络的突触后膜，通过对所述顶部电极阵列和所述底部电极施加电学刺激，实现人工神经网络的放电时间依赖可塑性：当顶部电极受到的刺激早于底部电极，出现突触的长时程增强，反之，则出现突触的长时程抑制。通过优化铁电叠层的结构，引入氧化锆种子层和氧化铝覆盖层显著提高了器件的存储特性，并实现了神经突触的学习与记忆功能。
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公开(公告)号：CN113437049A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110683895.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/64 , H01L27/11507 , H01L21/02 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开一种铪基铁电存储器及其制备方法。该铪基铁电存储器包括多个铪基铁电存储器单元，所述铪基铁电存储器单元包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；铪基铁电体，其为经退火后的铪铝氧薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述铪铝氧薄膜上。基于高质量的铁电HAO薄膜形成非易失性铁电存储器单元，实现了长期保持，高耐用性和稳定的存储特性，以及高剩余极化强度，并利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路，实现了存算一体的功能。
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公开(公告)号：CN113363384A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110628047.2
申请日：2021-06-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种HfO2基铁电隧道结器件及其制备方法。HfO2基铁电隧道结器件包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；ZrO2/HZO/Al2O3/HZO/ZrO2叠层结构，其具有对称冠状能带；顶电极，形成在所述叠层结构上。通过引入Al2O3中间层，有效控制了HZO薄膜的晶粒尺寸，提高了HZO薄膜的质量。此外，ZrO2薄膜可以诱导HZO薄膜产生更多的铁电相。以此叠层结构制备铁电隧道结器件能有效提高可靠性，隧穿电阻以及耐受性，能够满足至少104次的读写操作。
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公开(公告)号：CN113363384B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110628047.2
申请日：2021-06-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种HfO2基铁电隧道结器件及其制备方法。HfO2基铁电隧道结器件包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；ZrO2/HZO/Al2O3/HZO/ZrO2叠层结构，其具有对称冠状能带；顶电极，形成在所述叠层结构上。通过引入Al2O3中间层，有效控制了HZO薄膜的晶粒尺寸，提高了HZO薄膜的质量。此外，ZrO2薄膜可以诱导HZO薄膜产生更多的铁电相。以此叠层结构制备铁电隧道结器件能有效提高可靠性，隧穿电阻以及耐受性，能够满足至少104次的读写操作。
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