公开(公告)号：CN104163414B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201410346175.8

申请日：2014-07-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 董安钢 ,  杨东 ,  焦玉聪 ,  丁艺 ,  刘丽敏 ,  鄢群芳 ,  胡建华

IPC: C01B31/02

Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体为一种高度有序介孔碳材料的制备方法。本发明首先通过油酸铁裂解反应，得到油酸包覆的四氧化三铁纳米粒子；然后将所得纳米粒子溶于正己烷中，将溶剂挥发蒸干，使纳米粒子排列组装，再经高温碳化，即得到高度有序的碳包覆四氧化三铁纳米粒子；最后将纳米粒子刻蚀掉，即得到高度有序的介孔碳材料。本发明方法简单，原料易得，成本较低，可以通过控制四氧化三铁纳米粒子的粒径及形貌，得到不同孔径及形貌的介孔碳材料。本发明所得有序介孔碳材料具有极高的比表面积，在载药、废水处理等领域具有广宽的应用前景。

公开(公告)号：CN105154086A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510636880.6

申请日：2015-09-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 董安钢 ,  杨东 ,  刘丽敏 ,  汲丽 ,  胡建华 ,  汪碧微

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体为一种常温下制备CdSe/CdS核壳半导体量子点的方法。本发明在常温下用硫化铵或硫化钾的甲酰胺溶液处理CdSe纳米粒子，得到CdSe/CdS核壳半导体纳米粒子，同时S2-取代掉CdSe纳米粒子表面的有机长碳链配体，使纳米粒子溶于甲酰胺等极性溶剂；接着在空气条件下光照2天，使半导体纳米粒子的荧光增强。(NH4)2S处理2nm CdSe纳米粒子可使其量子产率增加到39.8%，3nm CdSe纳米粒子可增加到9.4%。K2S处理2nm CdSe纳米粒子可使其量子产率增加到26.1%，3nm CdSe纳米粒子可增加到3.3%。本发明方法简单、反应条件温和，制得的CdSe/CdS核壳半导体量子点可溶于极性溶剂、高量子产率。在光电二极管、荧光标记等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN104163414A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410346175.8

申请日：2014-07-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 董安钢 ,  杨东 ,  焦玉聪 ,  丁艺 ,  刘丽敏 ,  胡建华

IPC: C01B31/02

Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体为一种高度有序介孔碳材料的制备方法。本发明首先通过油酸铁裂解反应，得到油酸包覆的四氧化三铁纳米粒子；然后将所得纳米粒子溶于正己烷中，将溶剂挥发蒸干，使纳米粒子排列组装，再经高温碳化，即得到高度有序的碳包覆四氧化三铁纳米粒子；最后将纳米粒子刻蚀掉，即得到高度有序的介孔碳材料。本发明方法简单，原料易得，成本较低，可以通过控制四氧化三铁纳米粒子的粒径及形貌，得到不同孔径及形貌的介孔碳材料。本发明所得有序介孔碳材料具有极高的比表面积，在载药、废水处理等领域具有广宽的应用前景。

公开(公告)号：CN105505393A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510968928.3

申请日：2015-12-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 董安钢 ,  刘丽敏 ,  杨东 ,  胡建华 ,  吕龙飞

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C09K11/881 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明属于无机纳米材料技术领域，具体为一种快速显著增强CdSe量子点的荧光强度的方法。本发明首先通过现有技术中公开的方法在高温N2条件下制备CdSe量子点；然后室温条件下用硫化铵或硫化钾的甲酰胺溶液处理CdSe量子点，产生CdSe/CdS core-shell半导体纳米粒子；接着加入油胺和三辛基磷（简称TOP）,使CdSe/CdS core-shell半导体纳米粒子表面钝化，短时间内显著提高量子产率。本发明方法简单、反应条件温和，快速显著增强CdSe量子点的荧光强度。本发明制得的高量子产率的半导体量子点，在光电二极管、荧光标记等领域具有广宽的应用前景。