公开(公告)号：CN111613254B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202010281703.1

申请日：2020-04-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马顺利 ,  余浩 ,  任俊彦

IPC: G11C5/02

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于柔性材料的堆叠模拟存储器。本发明堆叠模拟存储器由多个时序单元电路和存储单元电路堆叠而成；存储单元电路由NMOS管和电容组成，其栅极作为控制端，输出信号保存在电容极板和输出端上；时序单元电路由四个NMOS管构成，上面两个NMOS管的栅极作为控制端，下面第一个NMOS管的栅极为信号输入端，第二NMOS管的源极为信号的输出端，上面第一个NMOS管的源极连接下面第二个NMOS管的栅极；时序单元电路的输出端连接存储单元电路的控制端，各存储单元的输入端连接同一个输入信号，各存储单元电路的输出端输出不同模拟信号。本发明易于集成实现堆叠，存储密度高，可应用于可穿戴设备当中。

公开(公告)号：CN111613254A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010281703.1

申请日：2020-04-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马顺利 ,  余浩 ,  任俊彦

IPC: G11C5/02

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于柔性材料的堆叠模拟存储器。本发明堆叠模拟存储器由多个时序单元电路和存储单元电路堆叠而成；存储单元电路由NMOS管和电容组成，其栅极作为控制端，输出信号保存在电容极板和输出端上；时序单元电路由四个NMOS管构成，上面两个NMOS管的栅极作为控制端，下面第一个NMOS管的栅极为信号输入端，第二NMOS管的源极为信号的输出端，上面第一个NMOS管的源极连接下面第二个NMOS管的栅极；时序单元电路的输出端连接存储单元电路的控制端，各存储单元的输入端连接同一个输入信号，各存储单元电路的输出端输出不同模拟信号。本发明易于集成实现堆叠，存储密度高，可应用于可穿戴设备当中。