公开(公告)号：CN101263599A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033937.2

申请日：2006-09-15

Applicant: 国际整流器公司

Inventor： 曹建军 ,  N·阿马尼

IPC: H01L23/58

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有终止结构的功率半导体器件，该终止结构包括多晶硅场板、金属场板和多晶硅等势环。

公开(公告)号：CN101263599B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680033937.2

申请日：2006-09-15

Applicant: 国际整流器公司

Inventor： 曹建军 ,  N·阿马尼

IPC: H01L23/58

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有终止结构的功率半导体器件，该终止结构包括多晶硅场板、金属场板和多晶硅等势环。