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公开(公告)号：CN115004395A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180011235.9
申请日：2021-01-05
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·雷兹尼塞克 , O·格鲁申克夫 , Y·苏勒里亚 , D·西尔
IPC: H01L43/08
Abstract: 在用作MRAM位的磁性隧道势垒支柱上方形成大晶粒金属位线，而不会实质上影响磁性隧道势垒的磁性性质。在柱上形成具有相对小晶粒的铜或铜合金位线。使用激光退火来熔化位线。随后的冷却和再结晶导致位线中晶界数目的减少和位线有效电阻率的减少。可以使用多个熔化/冷却循环。位线晶粒与所得结构中的柱竖直对准。
