低释气性光刻胶组合物

    公开(公告)号:CN102143981A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN200980134701.1

    申请日:2009-07-16

    Abstract: 本发明公开用于光刻胶组合物中的聚合物,其包括具有下式的重复单元,其中Z表示聚合物主链的重复单元;X为选自由以下组成的组的连接基团:亚烷基、亚芳基、亚芳烷基、羰基、羧基、羧基亚烷基、氧基、氧亚烷基及其组合;且R选自由以下组成的组:氢、烷基、芳基及环烷基;其条件为X与R不为同一环系统的一部分。本发明也公开光刻胶组合物的浮雕影像的图案化方法,其中该光刻胶组合物具有小于6.5E+14个分子/平方厘米/秒的释气速率。

    创伤敷料及其制备方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103768640B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201310486619.3

    申请日:2013-10-17

    CPC classification number: A61L31/04 A61L15/225

    Abstract: 本文描述了一种创伤敷料以及制备创伤敷料的方法。该创伤敷料由吸收性基材(由一层或多层形成)和设置在基材上的低粘附层形成。低粘附层可以设置在至少一部分基材之内。低粘附层由至少一种高度氟化聚合物和至少一种酸性聚合物的混合物形成。所述的至少一种高度氟化聚合物具有的氟含量高于所述的至少一种酸性聚合物的氟含量。

    低释气性光刻胶组合物

    公开(公告)号:CN102143981B

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN200980134701.1

    申请日:2009-07-16

    Abstract: 本发明公开用于光刻胶组合物中的聚合物,其包括具有下式的重复单元,其中Z表示聚合物主链的重复单元;X为选自由以下组成的组的连接基团:亚烷基、亚芳基、亚芳烷基、羰基、羧基、羧基亚烷基、氧基、氧亚烷基及其组合;且R选自由以下组成的组:氢、烷基、芳基及环烷基;其条件为X与R不为同一环系统的一部分。本发明也公开光刻胶组合物的浮雕影像的图案化方法,其中该光刻胶组合物具有小于6.5E+14个分子/平方厘米/秒的释气速率。

    创伤敷料及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103768640A

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201310486619.3

    申请日:2013-10-17

    CPC classification number: A61L31/04 A61L15/225

    Abstract: 本文描述了一种创伤敷料以及制备创伤敷料的方法。该创伤敷料由吸收性基材(由一层或多层形成)和设置在基材上的低粘附层形成。低粘附层可以设置在至少一部分基材之内。低粘附层由至少一种高度氟化聚合物和至少一种酸性聚合物的混合物形成。所述的至少一种高度氟化聚合物具有的氟含量高于所述的至少一种酸性聚合物的氟含量。

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