公开(公告)号：CN1162741C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN01121869.X

申请日：2001-06-29

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·卡尔勒加里 ,  P·肖德哈里 ,  J·P·多勒 ,  E·A·加里干 ,  加藤喜峰 ,  J·A·拉塞伊 ,  S·C·A·利恩 ,  陆珉华 ,  中野宏毅 ,  小田原修一

IPC分类号： G02F1/1337

CPC分类号： C23C14/3442 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/221 ,  C23C14/225 ,  C23C14/5833 ,  G02F1/133734 ,  G02F1/13378 ,  Y10T428/30

摘要： 本发明包括在衬底上形成已对准膜的方法。所说膜可以利用包括以下步骤的方法，在一个步骤内淀积和排列：以预定入射角，用离子束轰击衬底，以便同时(a)在所说衬底上淀积所说膜，(b)在至少一个预定排列方向上，排列所说膜的所说原子结构。

公开(公告)号：CN1340733A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN01121869.X

申请日：2001-06-29

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·卡尔勒加里 ,  P·肖德哈里 ,  J·P·多勒 ,  E·A·加里干 ,  加藤喜峰 ,  J·A·拉塞伊 ,  S·C·A·利恩 ,  陆珉华 ,  中野宏毅 ,  小田原修一

IPC分类号： G02F1/1337

CPC分类号： C23C14/3442 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/221 ,  C23C14/225 ,  C23C14/5833 ,  G02F1/133734 ,  G02F1/13378 ,  Y10T428/30

摘要： 本发明包括在衬底上形成已对准膜的方法。所说膜可以利用包括以下步骤的方法,在一个步骤内淀积和排列:以预定入射角,用离子束轰击衬底,以便同时(a)在所说衬底上淀积所说膜,(b)在至少一个预定排列方向上,排列所说膜的所说原子结构。