公开(公告)号：CN101165936A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710180242.3

申请日：2007-10-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 罗杰·W.·奇克 ,  林仲汉 ,  阿里加德勒·G.·西勒特 ,  斯蒂芬·M.·洛斯纳格尔

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

Abstract: 一种存储单元及其制作方法。绝缘材料沉积在衬底上。通孔形成在衬底中，并且导电下部块设置在通孔内部。由绝缘材料构成的该阶梯式间隔件设置在导电下部块的通孔中。相变材料设置在该导电下部块上方并且限制于该阶梯式间隔件内部。由导电材料构成的导电上部块形成在该相变材料上。